公开(公告)号：CN110299292B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN201910211657.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口善宣 ,  名取岩 ,  矶崎诚也

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。在层间绝缘膜上形成焊盘，在层间绝缘膜上形成绝缘膜以覆盖焊盘，并且在绝缘膜中形成露出焊盘的一部分的开口部分。在从开口部分露出的焊盘上和绝缘膜上形成电连接到焊盘的金属膜。金属膜一体地包括位于从开口部分露出的焊盘上的第一部分和位于绝缘膜上的第二部分。金属膜的上表面具有用于将导线键合到金属膜的导线键合区域和用于使探针与金属膜接触的探针接触区域，导线键合区域位于金属膜的第一部分上并且探针接触区域位于金属膜的第二部分上。

公开(公告)号：CN110299292A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910211657.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 出口善宣 ,  名取岩 ,  矶崎诚也

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。在层间绝缘膜上形成焊盘，在层间绝缘膜上形成绝缘膜以覆盖焊盘，并且在绝缘膜中形成露出焊盘的一部分的开口部分。在从开口部分露出的焊盘上和绝缘膜上形成电连接到焊盘的金属膜。金属膜一体地包括位于从开口部分露出的焊盘上的第一部分和位于绝缘膜上的第二部分。金属膜的上表面具有用于将导线键合到金属膜的导线键合区域和用于使探针与金属膜接触的探针接触区域，导线键合区域位于金属膜的第一部分上并且探针接触区域位于金属膜的第二部分上。