公开(公告)号：CN109994993B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201811565531.X

申请日：2018-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 归山隼一 ,  城户则夫

IPC: H02H5/04 ,  H02M1/32 ,  G01R31/26

Abstract: 本公开的实施例涉及功率转换装置和半导体装置。提供了一种能够以高准确度估计功率晶体管的结温的功率转换装置。控制装置包括温度估计单元、并且通过驱动器控制功率晶体管的导通和截止。电压检测电路检测在功率晶体管的导通时段期间的源极和漏极端子的端子间电压。温度估计单元预先保持源极和漏极端子的端子间电压和端子间电流与结温之间的相关信息，并且基于电压检测电路所检测的端子间电压、已知的端子间电流和相关信息，来估计结温。

公开(公告)号：CN106575645A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081240.7

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  城户则夫

IPC: H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种能够实现例如适于SR电机的高性能化的半导体器件。半导体器件具有：芯片搭载部(TAB1)，其搭载半导体芯片(CHP1)，该半导体芯片(CHP1)形成有IGBT；以及芯片搭载部(TAB2)，其搭载半导体芯片(CHP2)，该半导体芯片(CHP2)形成有二极管。另外，半导体器件具有：引线(LD1A)，其与半导体芯片(CHP1)的发射极焊盘(EP)经由夹片(CLP1)电连接；以及引线(LD1B)，其与半导体芯片(CHP2)的阳极焊盘(ADP)经由夹片(CLP2)电连接。此时，芯片搭载部(TAB1)与芯片搭载部(TAB2)电隔离，夹片(CLP1)与夹片(CLP2)电隔离。

公开(公告)号：CN106575645B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201480081240.7

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  城户则夫

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02P27/06 ,  H02P25/092

Abstract: 本发明提供一种能够实现例如适于SR电机的高性能化的半导体器件。半导体器件具有：芯片搭载部(TAB1)，其搭载半导体芯片(CHP1)，该半导体芯片(CHP1)形成有IGBT；以及芯片搭载部(TAB2)，其搭载半导体芯片(CHP2)，该半导体芯片(CHP2)形成有二极管。另外，半导体器件具有：引线(LD1A)，其与半导体芯片(CHP1)的发射极焊盘(EP)经由夹片(CLP1)电连接；以及引线(LD1B)，其与半导体芯片(CHP2)的阳极焊盘(ADP)经由夹片(CLP2)电连接。此时，芯片搭载部(TAB1)与芯片搭载部(TAB2)电隔离，夹片(CLP1)与夹片(CLP2)电隔离。

公开(公告)号：CN109994993A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811565531.X

申请日：2018-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 归山隼一 ,  城户则夫

IPC: H02H5/04 ,  H02M1/32 ,  G01R31/26

Abstract: 本公开的实施例涉及功率转换装置和半导体装置。提供了一种能够以高准确度估计功率晶体管的结温的功率转换装置。控制装置包括温度估计单元、并且通过驱动器控制功率晶体管的导通和截止。电压检测电路检测在功率晶体管的导通时段期间的源极和漏极端子的端子间电压。温度估计单元预先保持源极和漏极端子的端子间电压和端子间电流与结温之间的相关信息，并且基于电压检测电路所检测的端子间电压、已知的端子间电流和相关信息，来估计结温。