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公开(公告)号：CN106575645B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201480081240.7
申请日：2014-08-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02P27/06 , H02P25/092
Abstract: 本发明提供一种能够实现例如适于SR电机的高性能化的半导体器件。半导体器件具有：芯片搭载部(TAB1)，其搭载半导体芯片(CHP1)，该半导体芯片(CHP1)形成有IGBT；以及芯片搭载部(TAB2)，其搭载半导体芯片(CHP2)，该半导体芯片(CHP2)形成有二极管。另外，半导体器件具有：引线(LD1A)，其与半导体芯片(CHP1)的发射极焊盘(EP)经由夹片(CLP1)电连接；以及引线(LD1B)，其与半导体芯片(CHP2)的阳极焊盘(ADP)经由夹片(CLP2)电连接。此时，芯片搭载部(TAB1)与芯片搭载部(TAB2)电隔离，夹片(CLP1)与夹片(CLP2)电隔离。
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公开(公告)号：CN110299341B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910486283.8
申请日：2014-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/538 , H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/48 , H01L23/552
Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN101866901B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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公开(公告)号：CN104425472B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410442796.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/3114 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/115 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0635 , H01L29/739 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00013 , H01L2924/0665
Abstract: 实现了电子器件性能的改进。第一半导体器件和第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得，例如，在平面图中，所述第二半导体器件的取向与所述第一半导体器件的取向相交。即，第一半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第一发射极端子和第一信号端子被沿着布线板的一对短边在其上延伸的X方向布置。在另一方面，第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第二发射极端子和第二信号端子被沿着布线板的一对长边在其上延伸的Y方向布置。
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公开(公告)号：CN101908530B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201010198397.1
申请日：2010-06-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101908530A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198397.1
申请日：2010-06-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。
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公开(公告)号：CN105470224B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201510623157.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL)，并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成，以此为前提，一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此，夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点)，夹具(CLP)被这些部件3点支承。
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公开(公告)号：CN107731779A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710671430.X
申请日：2017-08-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L29/0619 , H01L29/0688 , H01L29/407 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40101 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48175 , H01L2224/73213 , H01L2224/73215 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003 , H01L23/31 , H01L23/3114 , H01L23/3121
Abstract: 本发明提供一种电子装置，目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。
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公开(公告)号：CN105470224A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510623157.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL)，并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成，以此为前提，一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此，夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点)，夹具(CLP)被这些部件3点支承。
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公开(公告)号：CN104241259A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410265491.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/11 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。
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