公开(公告)号：CN107395000B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201710179429.5

申请日：2017-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 横井芳彦 ,  小岛勇介

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在现有技术的半导体器件中存在的问题是，具有有源米勒钳位功能的半导体器件的芯片尺寸不能减小。根据一个实施例，半导体器件被配置为当功率器件导通或截止时，监测功率器件的栅极电压(Vg)，在转变范围内设置预定范围，转变范围是栅极电压(Vg)改变的范围，当栅极电压(Vg)在预定范围内时，通过使用预定数量的恒流电路，改变功率器件的栅极电压(Vg)，并且当栅极电压(Vg)在预定范围之外时，通过使用比当栅极电压(Vg)在预定范围内时使用的恒流电路的数量更多数量的恒流电路来改变栅极电压(Vg)。

公开(公告)号：CN107395000A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710179429.5

申请日：2017-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 横井芳彦 ,  小岛勇介

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在现有技术的半导体器件中存在的问题是，具有有源米勒钳位功能的半导体器件的芯片尺寸不能减小。根据一个实施例，半导体器件被配置为当功率器件导通或截止时，监测功率器件的栅极电压(Vg)，在转变范围内设置预定范围，转变范围是栅极电压(Vg)改变的范围，当栅极电压(Vg)在预定范围内时，通过使用预定数量的恒流电路，改变功率器件的栅极电压(Vg)，并且当栅极电压(Vg)在预定范围之外时，通过使用比当栅极电压(Vg)在预定范围内时使用的恒流电路的数量更多数量的恒流电路来改变栅极电压(Vg)。

公开(公告)号：CN107359155A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710187607.9

申请日：2017-03-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 沼部英雄 ,  立野孝治 ,  小岛勇介 ,  横井芳彦 ,  石田慎哉 ,  松浦仁

IPC: H01L25/16 ,  G01K7/01

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/823412 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H03K17/16 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H01L25/16 ,  G01K7/01

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和半导体装置，所述半导体器件包括功率器件和温度检测二极管。所述半导体器件具有被配置成使功率器件的电力线与温度检测二极管之间绝缘的器件结构。

公开(公告)号：CN107272478A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710213345.9

申请日：2017-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小岛勇介 ,  横井芳彦

IPC: G05B19/042

CPC classification number: H02P29/028 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/0029 ,  H02P27/08 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/08 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/163 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0027 ,  G05B19/0423 ,  G05B2219/25257

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在相关技术中的半导体装置中，将功率元件的阈值电压与栅极驱动器的电路操作匹配是必须的；因此，实现最适于所采用的功率元件的栅极驱动器的操作是困难的。根据一个实施例，当功率元件被关断时，半导体装置监控功率元件的集电极电压，并且在直到集电极电压变为低于预设确定阈值之前的期间，相比在集电极电压变为低于确定阈值之后的期间，半导体装置增加从功率元件的栅极抽取电荷的NMOS晶体管的数量。