公开(公告)号：CN103681862A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310409729.X

申请日：2013-09-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 张明 ,  吉久康树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种实现导通电阻减小和击穿电压增大并抑制短路的半导体器件及其制造方法。半导体器件在其具有主表面的半导体衬底中具有p-型外延区、n-型外延区、n型偏移区以及与其构成pn结的p型体区；且还具有在p-型和n-型外延区之间的p+型掩埋区、从主表面延伸至p+型掩埋区的隔离沟槽，以及形成在隔离沟槽的侧壁的至少一部分上的沟槽侧壁n型区。沟槽侧壁n型区中的n型杂质浓度高于n-型外延区。沟槽侧壁n型区沿侧壁延伸以到达p+型掩埋区。

公开(公告)号：CN103681862B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201310409729.X

申请日：2013-09-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 张明 ,  吉久康树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种实现导通电阻减小和击穿电压增大并抑制短路的半导体器件及其制造方法。半导体器件在其具有主表面的半导体衬底中具有p‑型外延区、n‑型外延区、n型偏移区以及与其构成pn结的p型体区；且还具有在p‑型和n‑型外延区之间的p+型掩埋区、从主表面延伸至p+型掩埋区的隔离沟槽，以及形成在隔离沟槽的侧壁的至少一部分上的沟槽侧壁n型区。沟槽侧壁n型区中的n型杂质浓度高于n‑型外延区。沟槽侧壁n型区沿侧壁延伸以到达p+型掩埋区。