公开(公告)号：CN104900700A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510095254.0

申请日：2015-03-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 片冈肇 ,  城本龙也 ,  新田哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/761 ,  H01L21/764 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发提供一种半导体器件，即一种改善性能的半导体器件。半导体衬底的表面层部分中具有彼此分离的用于源极的n+型半导体区以及用于漏极的n+型半导体区。半导体衬底的在用于源极的n+型半导体区以及用于漏极的n+型半导体区之间的主表面上具有经由作为栅绝缘膜的栅电极。半导体衬底的栅电极下方的沟道形成区以及用于漏极的n+型半导体区之间的主表面中具有LOCOS氧化膜以及STI绝缘膜。在LOCOS氧化膜和STI绝缘膜中，LOCOS氧化膜位于沟道形成区侧且STI绝缘膜位于用于漏极的n+型半导体区侧。