公开(公告)号：CN101908530B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201010198397.1

申请日：2010-06-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  町田勇一 ,  小池信也 ,  藤城敦 ,  田村政树

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。

公开(公告)号：CN103779340A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310501563.4

申请日：2013-10-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 団野忠敏 ,  波多俊幸 ,  町田勇一

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/4875 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L2023/4056 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。改善了半导体器件的可靠性。半导体器件具有彼此电隔离的第一和第二金属板。在第一金属板上安装包括在其上形成的晶体管元件的第一半导体芯片。在第二金属板上安装包括在其上形成的二极管元件的第二半导体芯片。此外，半导体器件具有包括与第一或第二半导体芯片电耦合的多个引线的引线组。沿引线排列的X轴方向布置第一和第二金属板。此处，第一金属板中的第一半导体芯片的周围区域的面积设置得大于第二金属板中的第二半导体芯片的周围区域的面积。

公开(公告)号：CN101908530A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010198397.1

申请日：2010-06-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  町田勇一 ,  小池信也 ,  藤城敦 ,  田村政树

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。