公开(公告)号：CN101958298A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010206061.5

申请日：2010-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦英惠 ,  中村真人 ,  木下顺弘 ,  绀野顺平 ,  依田智子

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，在此器件中，层叠了半导体芯片或布线衬底的电极间的连接结构(1)包括：以Cu为主要成分的一对电极(2，3)；和夹在一对电极(2，3)之间的由Sn-In类合金形成的焊料层(5)，在该焊料层(5)中分散有Sn-Cu-Ni化合物(6)。能在低温、低负荷下可靠连接，连接部即使在层叠工艺、其后的安装工艺等中被加热也能保持形状。

公开(公告)号：CN104022092A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410264924.2

申请日：2010-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦英惠 ,  中村真人 ,  木下顺弘 ,  绀野顺平 ,  依田智子

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中半导体器件层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，在此器件中，层叠了半导体芯片或布线衬底的电极间的连接结构(1)包括：以Cu为主要成分的一对电极(2，3)；和夹在一对电极(2，3)之间的由Sn-In类合金形成的焊料层(5)，在该焊料层(5)中分散有Sn-Cu-Ni化合物(6)。能在低温、低负荷下可靠连接，连接部即使在层叠工艺、其后的安装工艺等中被加热也能保持形状。