公开(公告)号：CN104115275B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280069809.9

申请日：2012-02-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻内幹夫 ,  新田哲也

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/41708

Abstract: 在重视电流的IGBT中，集电极用导电层(PR1)针对集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)通过多个接触进行连接。针对1个集电极用活性区域(CRa)的集电极用导电层(PR1)的接触部的个数多于针对基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。

公开(公告)号：CN104115275A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280069809.9

申请日：2012-02-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻内幹夫 ,  新田哲也

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/41708

Abstract: 在重视电流的IGBT中，集电极用导电层(PR1)针对集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)通过多个接触进行连接。针对1个集电极用活性区域(CRa)的集电极用导电层(PR1)的接触部的个数多于针对基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。