公开(公告)号：CN104465514A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410465189.1

申请日：2014-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中川和之 ,  阿部俊一

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05554

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法，提供了具有提高的可靠性的半导体器件。根据一种实施例的用于制造半导体器件的方法包括沿着划片区的延伸方向在布置于彼此相邻的两个芯片区之间的划片区内切割晶片的步骤。划片区在其内具有在多个列中的多个金属图形。在切割晶片的步骤中，形成于多个列内的一个或多个金属图形列被去除，并且与上述一个或多个列不同的列的金属图形没有被去除。