公开(公告)号：CN101432223A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015242.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 电子微系统公司

Inventor： 若埃尔·科莱 ,  斯特凡娜·尼古拉 ,  克里斯蒂安·皮斯埃拉

IPC: B81C1/00 ,  F04B43/04

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/054 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/046

Abstract: 本发明涉及用于在晶片中集体制造具有给定厚度d的腔和/或膜片(24)的方法，该晶片是绝缘体上半导体层，在绝缘层上包括至少一个具有厚度d的半导体表面层，该绝缘层本身被支撑在衬底上，该方法包括：对具有厚度d的半导体表面层进行蚀刻，绝缘层形成阻止层，以在表面层中形成腔和/或膜片。

公开(公告)号：CN101432223B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200780015242.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 电子微系统公司

Inventor： 若埃尔·科莱 ,  斯特凡娜·尼古拉 ,  克里斯蒂安·皮斯埃拉

IPC: B81C1/00 ,  F04B43/04

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/054 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/046

Abstract: 本发明涉及用于在晶片中集体制造具有给定厚度d的腔和/或膜片(24)的方法，该晶片是绝缘体上半导体层，在绝缘层上包括至少一个具有厚度d的半导体表面层，该绝缘层本身被支撑在衬底上，该方法包括：对具有厚度d的半导体表面层进行蚀刻，绝缘层形成阻止层，以在表面层中形成腔和/或膜片。