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公开(公告)号：CN115663043B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202211303364.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，引入一种全新设计的空穴势垒结构，该空穴势垒降低了陷阱相关的隧穿，与吸收层之间的单级势垒Np结降低了SRH相关暗电流，和电子势垒组合形成互补势垒CBIRD结构，解决了现有技术中InAs/InAsSb T2SL探测器暗电流高、响应度/比探测率较低等问题。其包括衬底，衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、底部接触‑空穴势垒层、吸收层、电子势垒层、顶部接触层，底部接触‑空穴势垒层上表面设置底部接触电极，顶部接触层上表面设置有顶部接触电极。本发明适用于一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器。
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公开(公告)号：CN115441306B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202211070845.9
申请日：2022-09-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应变量子阱垂直腔面发射激光器，包括：顶部反射器和底部反射器，所述顶部反射器和底部反射器之间包括顶部空间层(p‑spacer)和底部空间层(n‑spacer)，所述顶部空间层和底部空间层之间设置有第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间设置有隧穿结。本发明采用双有源区结构，在两个有源区间设计了一个隧穿结结构，使注入的载流子在双有源区在中进行两次光增益，因而输出光功率成倍增加，光电转换效率也随之提高。
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公开(公告)号：CN118508230A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410654886.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，解决了现有的保证输出功率的基横模垂直腔面发射激光器的制备方法复杂、出光功率较小、成本高且对精度要求较高，不利于广泛应用的问题。激光器自上而下包括，第一电极、P型布拉格反射镜、第一氧化层、第一有源区、隧道结、第二氧化层、第二有源区、N型布拉格反射镜、衬底、第二电极，P型布拉格反射镜的第二对以及第九对p‑DBR的通光孔径中分别设有氧化岛，且靠近的第一电极的氧化岛的宽度大于另一个氧化岛，氧化岛用于反波导高阶模式限制。本发明的基横模垂直腔面发射激光器，出光功率大，制备简单，成本低，对精度要求较低，能广泛应用。
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公开(公告)号：CN117543332A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311603251.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种人工带隙结构光学谐振腔、其制备方法及一种激光器，涉及激光器制备技术领域，解决了现有的带边光学谐振腔的制备需要复杂的工艺用于聚合连续域束缚态的问题。光学谐振腔自上而下包括：第一结构层、过渡层、正方晶格光子晶体层及衬底层，正方晶格光子晶体层包括由低折射率的数个圆柱体和高折射率的结构板，正方晶格光子晶体层上均匀设有多个孔洞，正方晶格光子晶体层用于提供非简并光子能带结构，获得相互耦合的相邻能带，使得参与耦合的每一条能带上具有分立的连续域束缚态。还提供上述的光学谐振腔的制备方法及一种激光器。实现了层间耦合调控分立连续域束缚态在波矢空间中的演变定则，改善了相应激光器的输出功率和光束质量。
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公开(公告)号：CN114284443B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111586089.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性光电探测器阵列的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种柔性光电探测器阵列的制备方法，解决现有钙钛矿探测器器件技术中材料空气稳定性较差、载流子输运较慢的不足，以及胶体量子点中存在大量团簇现象和目前传统探测器中无法与柔性衬底兼容的问题，其基于全无机金属卤素全无机钙钛矿量子点提出了一种有效的制备方法，通过低频和室温的超声处理以及精准的机械刻划方法实现了高性能的柔性光电探测器阵列。本发明适用于高光谱光电探测器的制备工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115313154A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211057186.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域，解决了现有激光器在大电流注入下阈值高、斜效率低，光电性能不佳的问题，所述激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、氧化层、电子阻挡层、有源区、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极，所述电子阻挡层包括AlxGa1‑xAsySb1‑y，组分变化范围为：x＝0.4‑0.8，y＝0.8‑1，通过在有源区p侧引入一种含锑元素的电子阻挡层，在不增加串联电阻的前提下，有效降低了激光器的泄漏电流，器件内量子效率大大提升、斜线效率大幅增加。
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公开(公告)号：CN114551742A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171171.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基高速钙钛矿光源，包括依次层叠的硅基层、金电极层、空穴传输层、甲基‑铯铅溴钙钛矿层、电子传输层、半透明银电极层；所述甲基‑铯铅溴钙钛矿层制备时加入甲基溴化铵。本发明的硅基高速钙钛矿光源能降低铯铅溴钙钛矿光源的发光淬灭以及在高电流密度下的外量子荧光效率抖降，提高器件可调制的电流密度区间和有效调制带宽范围。
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公开(公告)号：CN115442687B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211065575.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双振膜光学麦克风，包括平行设置可随声音共振的第一振膜和第二振膜，所述第一振膜、第二振膜以及支撑第一振膜、第二振膜的支撑件围成一谐振腔；所述第一振膜与第二振膜相邻的一面为反射面，所述第二振膜与第一振膜相邻的一面为透射面且与第一振膜远离的一面为半透半反面；包括光源，所述光源射出的光线被分光镜一分为二，其一束射入光源噪声探测器，另一束射向谐振腔；还包括低噪模拟放大器，所述低噪模拟放大器用于将主探测器探测到的光电流与光源噪声探测器探测到的光电流进行差分处理，并将差分处理后的电流信号转换为电压信号。本发明具有较高的灵敏度和信噪比，并且结构简单，易于加工制造。
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公开(公告)号：CN114486814B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210035563.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/49
Abstract: 本发明公开了一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，属于浊度测试技术领域，目的在于提供一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，解决现有浊度测试系统检测不便、检测时间地点受控制的问题。其包括MoSe2‑O2光电探测器、照明源、激光驱动器、探测器驱动器、低噪声放大器，所述低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2‑O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。本发明适用于光电探测器浊度测试系统。
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公开(公告)号：CN115988386A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310114854.1
申请日：2023-02-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04R3/00
Abstract: 本发明公开了用于光学麦克风的三通道数据采集系统，包括依次级联的微弱电流放大电路、MCU、程控开关、串口电平转换模块和上位机，MCU通过串口电平转换模块与上位机双向通信连接，微弱电流放大电路包括第一微弱电流放大电路、第二微弱电流放大电路和第三微弱电流放大电路，三通道微弱电流放大电路分别接收三个光电探测器输出的微弱电流信号并转化为三路电压信号输出至MCU，MCU通过编程控制程控开关及MCU内置的第一ADC模块、第二ADC模块和第三ADC模块，分别接收微弱电流放大电路输出的三路电压信号并将其转换为数字信号，实现三通道数据同步采集，模数转换后的信号经滤波和编帧处理后存储在MCU内置的FLASH中，上位机通过串口发送指令后可读出FLASH中存储的数据。
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