一种Ba-Co-V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113292338A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110622929.8

    申请日:2021-06-04

    Abstract: 本发明属于电子材料技术领域,具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法,其烧结温度低,且具有高Q*f值和正τf值,可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上,未添加降烧剂通过调整原料配比,首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+,通过不同的取代量,在900℃~950℃低温致密烧结,获得了τf为+14.5ppm/℃~+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz~54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料;由于未添加助烧剂B2O3,因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响,可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。

    一种Ba-Co-V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113292338B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202110622929.8

    申请日:2021-06-04

    Abstract: 本发明属于电子材料技术领域,具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法,其烧结温度低,且具有高Q*f值和正τf值,可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上,未添加降烧剂通过调整原料配比,首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+,通过不同的取代量,在900℃~950℃低温致密烧结,获得了τf为+14.5ppm/℃~+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz~54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料;由于未添加助烧剂B2O3,因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响,可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。

Patent Agency Ranking