公开(公告)号：CN1874955A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032195.2

申请日：2004-10-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·T·M·范比克 ,  M·J·E·乌勒奈尔斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01H2239/01

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件的制造方法，包括在衬底(14)上提供基层(10)和机械层(12)，在基层(10)和机械层(12)之间提供牺牲层(16)，在牺牲层(16)和衬底(14)之间提供蚀刻停止层(18)，以及借助干法化学蚀刻去除牺牲层(16)，其中利用含氟的等离子体进行干法化学蚀刻，并且该蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料，如HfO2、ZrO2、Al2O3或TiO2。