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公开(公告)号:CN101335186A
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200810100413.1
申请日:2002-04-23
Applicant: 科林研发公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J2237/2001 , H01L21/67103
Abstract: 公开了一种用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置。本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘,其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。
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公开(公告)号:CN1529994A
公开(公告)日:2004-09-15
申请号:CN02811946.0
申请日:2002-04-23
Applicant: 科林研发公司
CPC classification number: H01J37/20 , H01J2237/2001 , H01L21/67103 , H01L21/67248
Abstract: 本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘,其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。
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公开(公告)号:CN101335186B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200810100413.1
申请日:2002-04-23
Applicant: 科林研发公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J2237/2001 , H01L21/67103
Abstract: 公开了一种用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置。本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘,其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。
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公开(公告)号:CN100401852C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN02811946.0
申请日:2002-04-23
Applicant: 科林研发公司
CPC classification number: H01J37/20 , H01J2237/2001 , H01L21/67103 , H01L21/67248
Abstract: 本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘,其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。
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