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公开(公告)号：CN104392899A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410553398.1
申请日：2014-10-08
Applicant: 程德明
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0201 , H01L21/02013 , H01L21/02697
Abstract: 本发明提供一种整流单晶硅片免喷砂扩散镀镍工艺，用氧化工艺、电解工艺、超砂粗化工艺去取替了传统的喷砂工艺，具有节能降耗、无噪声、无粉尘、生产成本低、产品质量高等优点，是整流单晶硅片扩散镀镍企业进行技术改造的首选工艺。
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