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公开(公告)号：CN109509794B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201811515840.6
申请日：2018-12-08
Applicant: 程德明 , 黄山市瑞宏电器有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种N+区边缘圆弧形结构的P+‑I‑N+型功率二极管，使用N+区边缘圆弧形结构技术，能有效消除普通功率二极管的N+区的尖角部电场强度过于集中引起的反向击穿软特性，能将电力线均匀分布在N+区边缘圆弧形面上，使圆弧形面上的电场强度低于芯片中P+‑I结处的电场强度。当芯片承受的反向电压时升高时，雪崩首先发生在P+‑I结平面处。本发明可以使用薄单晶硅片，生产出具有优良正向、反向和高温特性的功率二极管，节能节料，且生产成本不增加。
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公开(公告)号：CN104392899A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410553398.1
申请日：2014-10-08
Applicant: 程德明
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0201 , H01L21/02013 , H01L21/02697
Abstract: 本发明提供一种整流单晶硅片免喷砂扩散镀镍工艺，用氧化工艺、电解工艺、超砂粗化工艺去取替了传统的喷砂工艺，具有节能降耗、无噪声、无粉尘、生产成本低、产品质量高等优点，是整流单晶硅片扩散镀镍企业进行技术改造的首选工艺。
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公开(公告)号：CN109375086A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811112677.9
申请日：2018-09-09
Applicant: 程德明 , 黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2642 , G01R31/2621
Abstract: 本发明提供一种硅基AIGaN-HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪的技术方案，能对额定电流1～100A MOS管的热阻和高温压降进行测试。能在3秒时间内，一次性测出每个MOS管的这二个热参数，测量误差≤3％。是硅基AIGaN-HEMT/MOS功率器件研发单位、制造商、拆机商、用户测试MOS管热特性的优选技术平台。测试仪线路简捷、体积小、耗能少、造价低，有利于大批量推广使用。
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公开(公告)号：CN108494278A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810473111.2
申请日：2018-05-02
Applicant: 程德明 , 黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
Abstract: 本发明提供一种镜象型桥式整流器的技术方案，具有接通电源时不处于交流电压的峰值点，而是对称分布在交流电压的峰值点的两侧，有二个两个开通点，形成“镜象”关系的优点；又具有接通电源瞬间，两个开通点从交流电源零电位附近开通，逐渐向高电位上移，所接储能电容器上电压逐渐增高的优点；还具输出直流电压稳定不变的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515418A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310484954.X
申请日：2013-10-08
Applicant: 程德明
Inventor： 程德明
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0615 , H01L29/6609
Abstract: 本发明提供一种高反压穿通式GPP整流芯片的制造技术，属于“新型电子元器件——片式半导体器件技术”领域；提出了P型宽耗尽层高反压／N型薄基区穿通式结构技术方案，二次主扩散工艺技术方案；所述产品的反向耐压可超过1600伏，正向压降可降低10％，其它电热特性也得到明显改善，技术指标处于国内领先水平。
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公开(公告)号：CN109509794A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811515840.6
申请日：2018-12-08
Applicant: 程德明 , 黄山市瑞宏电器有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种N+区边缘圆弧形结构的P+-I-N+型功率二极管，使用N+区边缘圆弧形结构技术，能有效消除普通功率二极管的N+区的尖角部电场强度过于集中引起的反向击穿软特性，能将电力线均匀分布在N+区边缘圆弧形面上，使圆弧形面上的电场强度低于芯片中P+-I结处的电场强度。当芯片承受的反向电压时升高时，雪崩首先发生在P+-I结平面处。本发明可以使用薄单晶硅片，生产出具有优良正向、反向和高温特性的功率二极管，节能节料，且生产成本不增加。
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公开(公告)号：CN103199067A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310091183.8
申请日：2013-03-08
Applicant: 程德明
Inventor： 程德明
IPC: H01L23/367 , H02K11/00
CPC classification number: H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种降低桥式整流器结壳热阻的制造技术，使用新型材料“铝基覆铜箔板”制作主导热面板，生产低热阻桥式整流器。与传统桥式整流器相比较，低热阻桥式整流器的结壳总热阻值只有几十分之一，热安全系数提高一倍，在同等体积下，电流容量提高一个数量级，生产成本更低。直接装置在发电机体内的低热阻桥式整流器可做成平板式，安装在发电机的壳体上，利用发电机壳体散热。低热阻桥式整流器的研发是电力电子器件制造技术的一次重大进步。
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公开(公告)号：CN108494278B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810473111.2
申请日：2018-05-02
Applicant: 程德明 , 黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
Abstract: 本发明提供一种镜象型桥式整流器的技术方案，具有接通电源时不处于交流电压的峰值点，而是对称分布在交流电压的峰值点的两侧，有二个两个开通点，形成“镜象”关系的优点；又具有接通电源瞬间，两个开通点从交流电源零电位附近开通，逐渐向高电位上移，所接储能电容器上电压逐渐增高的优点；还具输出直流电压稳定不变的优点。
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公开(公告)号：CN113740655A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111095996.5
申请日：2021-09-11
Applicant: 程德明
Inventor： 程德明
Abstract: 本发明公开了一种电子充电机用多功能模拟负载装置，利用整流芯片的正向压降为模拟负载，采用二进制原理，在装置面板上设置了七只纽子开关，可得到工作电压0至127伏特、间隔为1伏特的128种恒压模拟负载；当无外部电流输入时，装置内部亦可自动产生相同档次的电压对外输出，逼真地模拟了蓄电池的电特性。与传统蓄电池负载相比，具有无污染、不需放电耗能、电压域宽广、电压换档快、体积小、重量轻、制造成本约为蓄电池十分之一等优点。能取代各类蓄电池负载，与电子充电机进行良好配接，完成电子充电机生产中的测试、老化等工序。
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