公开(公告)号：CN1991581B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3-20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3-6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN1991581A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3－20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3－6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。