-
公开(公告)号：CN104071741A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410123288.1
申请日：2014-03-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: H03B5/30 , B81C1/00246 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , H01L21/76802 , H03B5/32
Abstract: 本发明提供一种电子装置及其制造方法、以及振荡器，本发明所涉及的电子装置包括：基板；基底层，其被形成在所述基板上且具有开口；功能元件，其被设置在所述基底层上；包围壁，其为形成对所述功能元件进行收纳的空腔的包围壁，并且至少一部分被配置于所述开口内。
-
公开(公告)号：CN104944355A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510094985.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0078 , B81B2201/0271 , B81C1/00293 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统设备及其制造方法，该微机电系统设备具有：基板；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于基板的表面上；构造体，其被设置于基板或者绝缘膜的表面上，并在功能元件的周围形成空腔；第1层，其在规定的位置处形成有开口，并以与功能元件之间留有间隙的方式而覆盖空腔的一部分；第2层，其被设置于第1层的表面上，并在与规定的位置对应的位置处形成有开口；封闭部，其在第2层的表面上被设置于与第1层的开口以及第2层的开口相比而更广的范围内，且至少封闭第2层的开口。
-
公开(公告)号：CN104909329A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510094983.4
申请日：2015-03-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/015
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统设备，具有：功能元件，其具有连接电极；构造体，其在功能元件的周围形成空腔；第2绝缘膜，其被设置于连接电极的第1面上的规定的区域的周围；第1盖部，其包括覆盖第2绝缘膜的第3绝缘膜，并设置有开口，且覆盖空腔的一部分；第2盖部，其被设置于第1盖部的表面上并包括与连接电极的该规定的区域电连接的第1导电体、和将第1盖部的开口封闭的封闭部；第4绝缘膜，其被设置于第2盖部的表面上，并与第2绝缘膜或者第3绝缘膜接触而使第1导电体与封闭部绝缘；第2导电体，其贯穿第4绝缘膜而与第1导电体电连接。
-
公开(公告)号：CN104868869A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510085146.5
申请日：2015-02-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: H03H9/2457 , H03H2003/027 , H03H2009/02291 , H03H2009/02472 , H03H2009/02511 , H03H2009/155
Abstract: 本发明涉及振子及其制造方法、以及电子装置。本发明所涉及电子装置的制造方法包括：基板；下部电极，其被形成在所述基板上，并形成有贯穿孔；上部电极，其以与所述下部电极隔开的方式被配置在所述下部电极的上方，并具有朝向所述贯穿孔突出的突起部；对置部，其被形成在所述基板上，并与所述突起部对置，所述对置部与所述突起部之间的距离小于所述下部电极与所述上部电极之间的距离。
-
公开(公告)号：CN104079250B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410119979.4
申请日：2014-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: H03H9/17 , H03B5/02 , H03B5/30 , H03B5/32 , H03H3/02 , H03H9/02338 , H03H9/2447 , H03H2003/021 , H03H2003/022 , H03H2009/02291
Abstract: 本发明提供一种振子的制造方法、振子以及振荡器。本发明所涉及的振子的制造方法包括：成膜覆盖层的工序，所述覆盖层覆盖硅基板；对覆盖层进行图案形成的工序；成膜半导体层的工序，所述半导体层覆盖硅基板和覆盖层；对半导体层进行图案形成，从而在覆盖层上形成成为梁状的振动部、和对振动部进行支承的支承部的工序；形成使硅基板露出的开口部的工序；穿过开口部去除硅基板，并形成凹陷部的工序；去除覆盖层的工序，在形成振动部和支承部的工序中，形成具有第一部分和第二部分的支承部，其中，所述第一部分位于硅基板上，所述第二部分对第一部分和振动部进行连接，并位于覆盖层上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104944356A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510129061.2
申请日：2015-03-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0271 , B81C2203/0136 , B81C2203/0163 , B81C2203/0764
Abstract: 本发明提供一种MEMS装置。该MEMS装置具备：半导体基板，其在主面的第一区域中形成有沟槽，并且在主面的第二区域中形成有半导体电路元件的杂质扩散区；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于半导体基板的沟槽的底面上；壁部，其被设置于半导体基板的沟槽内，并在功能元件的周围形成空腔；盖部，其对空腔进行覆盖；支柱，其被设置于空腔内，并与半导体基板的沟槽的底面或绝缘膜、和盖部的背面接触。
-
公开(公告)号：CN104079250A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410119979.4
申请日：2014-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
CPC classification number: H03H9/17 , H03B5/02 , H03B5/30 , H03B5/32 , H03H3/02 , H03H9/02338 , H03H9/2447 , H03H2003/021 , H03H2003/022 , H03H2009/02291
Abstract: 本发明提供一种振子的制造方法、振子以及振荡器。本发明所涉及的振子的制造方法包括：成膜覆盖层的工序，所述覆盖层覆盖硅基板；对覆盖层进行图案形成的工序；成膜半导体层的工序，所述半导体层覆盖硅基板和覆盖层；对半导体层进行图案形成，从而在覆盖层上形成成为梁状的振动部、和对振动部进行支承的支承部的工序；形成使硅基板露出的开口部的工序；穿过开口部去除硅基板，并形成凹陷部的工序；去除覆盖层的工序，在形成振动部和支承部的工序中，形成具有第一部分和第二部分的支承部，其中，所述第一部分位于硅基板上，所述第二部分对第一部分和振动部进行连接，并位于覆盖层上。
-
公开(公告)号：CN103864004A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310631195.5
申请日：2013-11-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H03H9/2457 , H03H3/0072 , H03H9/02433
Abstract: 本发明提供一种振子的制造方法，包括：在基板上形成第一层的工序（a）；向所述第一层的第一区域中离子注入第一杂质的工序（b）；对所述第一层进行图案形成，从而形成在侧面部上具有锥面的第一电极的工序（c）；在所述第一电极上和所述第一电极的锥面上形成牺牲层的工序（d）；在所述基板和所述牺牲层上以与所述第一电极上表面部和所述第一电极的锥面的至少一部分对置配置的方式而形成第二电极的工序（e）；去除所述牺牲层的工序（f），其中，所述工序（b）以如下方式而被实施，即，所述第一杂质的浓度在距所述第一电极的上表面比深于10nm的位置处，从上表面侧朝向下表面侧单调地减少。
-
公开(公告)号：CN102901562A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210260839.X
申请日：2012-07-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 吉泽隆彦
IPC: G01J3/26
CPC classification number: G01J3/427 , B81C1/00007 , B81C1/00126 , B81C1/0015 , G01J3/0278 , G01J3/0291 , G01J3/513
Abstract: 本发明提供倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、以及分光传感器。倾斜结构体的制造方法包括：在基板的上方形成牺牲膜的工序（a）；在牺牲膜的上方形成第一膜的工序（b）；形成第二膜的工序（c），所述第二膜包括：与基板连接的第一部分、与第一膜连接的第二部分、位于上述第一部分和上述第二部分之间的第三部分；去除牺牲膜的工序（d）；在工序（d）之后使第二膜的上述第三部分弯曲，从而使第一膜相对于基板而倾斜的工序（e）。
-
公开(公告)号：CN107527821B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710303451.6
申请日：2017-05-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够使焊盘的机械强度比以往提高而抑制裂纹的产生。该半导体装置的制造方法具有如下工序：形成由第1金属层构成的第1焊盘；在第1焊盘上形成绝缘层；通过去除第1焊盘的至少一部分区域上的绝缘层，在绝缘层设置开口部；以使第2焊盘具有比绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在绝缘层的开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及在第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.044 seconds)
