电光装置及其制造方法和电子设备

    公开(公告)号:CN101252135B

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200810081208.5

    申请日:2008-02-19

    Inventor: 小山田晋

    Abstract: 本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备。电光装置具有存储电容(70)和隔离绝缘膜(49),上述存储电容通过在基板上设置在非开口区域(R2)同时层叠下侧电极(71)、电介质膜(75)和上侧电极(301)而成,下侧电极具有与上侧电极重叠的下侧电极本体部(71a)和从该下侧电极本体部的一部分(71a1)与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部(71b),上述隔离绝缘膜在包含配置在下侧电极的基底面(41s)的上层每和上侧电极的下层侧的下侧电极本体部与下侧电极延伸部的边界(Bd)的区域形成与下侧电极本体部的其他部分(71a2)不重叠的形态。此外,具有设置在开口区域(R1)上的由与隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形(910)。

    电光装置及其制造方法和电子设备

    公开(公告)号:CN101252135A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810081208.5

    申请日:2008-02-19

    Inventor: 小山田晋

    Abstract: 本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备。电光装置具有存储电容(70)和隔离绝缘膜(49),上述存储电容通过在基板上设置在非开口区域(R2)同时层叠下侧电极(71)、电介质膜(75)和上侧电极(301)而成,下侧电极具有与上侧电极重叠的下侧电极本体部(71a)和从该下侧电极本体部的一部分(71a1)与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部(71b),上述隔离绝缘膜在包含配置在下侧电极的基底面(41s)的上层每和上侧电极的下层侧的下侧电极本体部与下侧电极延伸部的边界(Bd)的区域形成与下侧电极本体部的其他部分(71a2)不重叠的形态。此外,具有设置在开口区域(R1)上的由与隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形(910)。

    电光装置及电子设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103034001A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210363673.4

    申请日:2012-09-26

    Inventor: 小山田晋

    CPC classification number: H01L27/1255 G02F1/136213 G02F1/136286 G02F2201/40

    Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等电光装置中能够充分确保保持电容、可显示高品质的图像。包括:电连接于栅电极(30g)的扫描线(3a);电连接于数据线侧源极漏极区域(30s)的数据线(6a);电连接于像素电极侧源极漏极区域(30d)的像素电极(27);和电容元件(16),具有与电容线(3b)电连接的第1电容电极(16a)、与第1电容电极(16a)相对向设置的第2电容电极(16c)、被第1电容电极(16a)和第2电容电极(16c)夹持的电介质层(16b),在设有晶体管(30)、扫描线(3a)和数据线(6a)的层与设有像素电极(27)的层之间,第1电容电极(16a被电介质层(16b)及第2电容电极(16c)覆盖地配置。

    电光装置及电子设备
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103034001B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201210363673.4

    申请日:2012-09-26

    Inventor: 小山田晋

    CPC classification number: H01L27/1255 G02F1/136213 G02F1/136286 G02F2201/40

    Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等电光装置中能够充分确保保持电容、可显示高品质的图像。包括:电连接于栅电极(30g)的扫描线(3a);电连接于数据线侧源极漏极区域(30s)的数据线(6a);电连接于像素电极侧源极漏极区域(30d)的像素电极(27);和电容元件(16),具有与电容线(3b)电连接的第1电容电极(16a)、与第1电容电极(16a)相对向设置的第2电容电极(16c)、被第1电容电极(16a)和第2电容电极(16c)夹持的电介质层(16b),在设有晶体管(30)、扫描线(3a)和数据线(6a)的层与设有像素电极(27)的层之间,第1电容电极(16a被电介质层(16b)及第2电容电极(16c)覆盖地配置。

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