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公开(公告)号：CN112639586B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980055928.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今泉伸治 , 角野宏治 , A·N·格里戈伦科 , F·J·罗德里格斯·马丁内斯 , V·G·克拉维茨
Abstract: [目的]提供一种光学元件和电子设备，该光学元件和电子设备能够小型化、减小高度并增大响应速度以及实现具有高透射光强度或高反射光强度的调制。[技术方案]根据本技术的一种光学元件包括第一光反射层、第一介电厚膜层、多层膜层叠体、第二介电厚膜层和第二光反射层。所述第一介电厚膜层由电介质形成且布置在第一光反射层上。所述多层膜层叠体是布置在所述第一介电厚膜层上的多层膜层叠体并且包括多个透明导体薄膜和介电薄膜，多个透明导体薄膜能够通过费米能级调整而控制光学跃迁能，所述介电薄膜是布置在所述多个透明导体薄膜之间的原子层薄膜。所述第二介电厚膜层由电介质形成且布置在所述多层膜层叠体上。所述第二光反射层布置在所述第二介电厚膜层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109154084B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780031996.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 索尼公司
IPC: C23C16/46 , C01B21/064 , C01G39/06 , C23C14/56 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 为了提供一种薄膜制造方法、一种薄膜制造设备、一种光电转换元件的制造方法、一种逻辑电路的制造方法、一种发光元件的制造方法、和一种光控元件的制造方法，利用这些方法和设备可以进行层数控制以及非均质层压成膜。[解决手段]根据本技术的薄膜制造方法包括：令导电成膜靶材与第一端子和第二端子接触；通过在第一端子和第二端子之间施加电压，加热第一区域，该第一区域是在第一端子和第二端子之间成膜靶材的一个区域；将成膜原料提供至第一区域；和通过控制反应时间以形成具有所需层数的薄膜，而在第一区域中形成薄膜。
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公开(公告)号：CN112513723A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050935.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 索尼公司
Abstract: [目的]本发明的目的是提供一种具有高响应速度和调制波长高可控性的光学元件和电子设备。[解决手段]根据本技术的光学元件包括第一导电膜、第二导电膜和介电膜。第一导电膜具有透光性并且能够通过费米能级调节来控制光学跃迁能量。第二导电膜具有透光性并且能够通过费米能级调节来控制光学跃迁能量。介电膜布置在第一导电膜和第二导电膜之间并且具有透光性和弹性。
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公开(公告)号：CN112639586A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980055928.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今泉伸治 , 角野宏治 , A·N·格里戈伦科 , F·J·罗德里格斯·马丁内斯 , V·G·克拉维茨
Abstract: [目的]提供一种光学元件和电子设备，该光学元件和电子设备能够小型化、减小高度并增大响应速度以及实现具有高透射光强度或高反射光强度的调制。[技术方案]根据本技术的一种光学元件包括第一光反射层、第一介电厚膜层、多层膜层叠体、第二介电厚膜层和第二光反射层。所述第一介电厚膜层由电介质形成且布置在第一光反射层上。所述多层膜层叠体是布置在所述第一介电厚膜层上的多层膜层叠体并且包括多个透明导体薄膜和介电薄膜，多个透明导体薄膜能够通过费米能级调整而控制光学跃迁能，所述介电薄膜是布置在所述多个透明导体薄膜之间的原子层薄膜。所述第二介电厚膜层由电介质形成且布置在所述多层膜层叠体上。所述第二光反射层布置在所述第二介电厚膜层上。
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公开(公告)号：CN109690778A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780054535.9
申请日：2017-08-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/144 , G01J1/02 , H01L31/08 , H01Q1/38
CPC classification number: G01J1/44 , H01L27/1446 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L31/102 , H01Q1/368 , H01Q1/38 , H01Q5/22
Abstract: 本发明提供一种能够检测任意波长的电磁波且能够微细化的电磁波检测元件、电磁波传感器、电子设备和结构体。根据本技术的电磁波检测元件包括天线单元和检测单元。天线单元包括由导电性材料构成的第一导电层，层叠在第一导电层上并由电介质体构成的第一电介质层，以及层叠在第一电介质层上并由石墨烯构成的第一石墨烯层。检测单元包括由导电性材料构成并与第一导电层分离开的第二导电层，层叠在第二导电层上并由电介质体构成的第二电介质层，以及层叠在第二电介质层上、由石墨烯构成并与第一石墨烯层分离开的第二石墨烯层。
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公开(公告)号：CN109154084A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031996.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 索尼公司
IPC: C23C16/46 , C01B21/064 , C01G39/06 , C23C14/56 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: [目的]为了提供一种薄膜制造方法、一种薄膜制造设备、一种光电转换元件的制造方法、一种逻辑电路的制造方法、一种发光元件的制造方法、和一种光控元件的制造方法，利用这些方法和设备可以进行层数控制以及非均质层压成膜。[解决手段]根据本技术的薄膜制造方法包括：令导电成膜靶材与第一端子和第二端子接触；通过在第一端子和第二端子之间施加电压，加热第一区域，该第一区域是在第一端子和第二端子之间成膜靶材的一个区域；将成膜原料提供至第一区域；和通过控制反应时间以形成具有所需层数的薄膜，而在第一区域中形成薄膜。
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