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公开(公告)号：CN112639586A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980055928.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今泉伸治 , 角野宏治 , A·N·格里戈伦科 , F·J·罗德里格斯·马丁内斯 , V·G·克拉维茨
Abstract: [目的]提供一种光学元件和电子设备，该光学元件和电子设备能够小型化、减小高度并增大响应速度以及实现具有高透射光强度或高反射光强度的调制。[技术方案]根据本技术的一种光学元件包括第一光反射层、第一介电厚膜层、多层膜层叠体、第二介电厚膜层和第二光反射层。所述第一介电厚膜层由电介质形成且布置在第一光反射层上。所述多层膜层叠体是布置在所述第一介电厚膜层上的多层膜层叠体并且包括多个透明导体薄膜和介电薄膜，多个透明导体薄膜能够通过费米能级调整而控制光学跃迁能，所述介电薄膜是布置在所述多个透明导体薄膜之间的原子层薄膜。所述第二介电厚膜层由电介质形成且布置在所述多层膜层叠体上。所述第二光反射层布置在所述第二介电厚膜层上。
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公开(公告)号：CN112639586B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980055928.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今泉伸治 , 角野宏治 , A·N·格里戈伦科 , F·J·罗德里格斯·马丁内斯 , V·G·克拉维茨
Abstract: [目的]提供一种光学元件和电子设备，该光学元件和电子设备能够小型化、减小高度并增大响应速度以及实现具有高透射光强度或高反射光强度的调制。[技术方案]根据本技术的一种光学元件包括第一光反射层、第一介电厚膜层、多层膜层叠体、第二介电厚膜层和第二光反射层。所述第一介电厚膜层由电介质形成且布置在第一光反射层上。所述多层膜层叠体是布置在所述第一介电厚膜层上的多层膜层叠体并且包括多个透明导体薄膜和介电薄膜，多个透明导体薄膜能够通过费米能级调整而控制光学跃迁能，所述介电薄膜是布置在所述多个透明导体薄膜之间的原子层薄膜。所述第二介电厚膜层由电介质形成且布置在所述多层膜层叠体上。所述第二光反射层布置在所述第二介电厚膜层上。
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