公开(公告)号：CN103208527A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310002100.3

申请日：2013-01-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 岛山努 ,  藤井宣年 ,  藤森隆成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618

Abstract: 本公开提供薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备。薄膜晶体管包括：栅极电极、源极电极和漏极电极；氧化物半导体层，设置在栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对源极电极和漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到源极电极和漏极电极；以及低电阻氧化物层，设置在面对源极电极的区域中以及面对漏极电极的区域中，该面对源极电极的区域和该面对漏极电极的区域相邻于氧化物半导体层，并且低电阻氧化物层的电阻率低于氧化物半导体层的电阻率。

公开(公告)号：CN102194887A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110047595.2

申请日：2011-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  藤森隆成 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置，其中，薄膜晶体管具有一致且良好的电特性，并且具有允许减少制造步骤数的简单构造。薄膜晶体管包括：栅电极；氧化物半导体膜，具有非晶膜和结晶膜的多层结构；以及源电极和漏电极，被设置为接触结晶膜。

公开(公告)号：CN101794821A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010103189.9

申请日：2010-01-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  藤森隆成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和显示装置。该薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极；形成有对应于所述栅电极的沟道区的氧化物半导体层；第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜被形成在所述基板和所述栅电极上，且由氮化硅膜构成；第二栅绝缘膜，所述第二栅绝缘膜被选择性地形成在所述第一栅绝缘膜上对应于所述氧化物半导体层的区域内并与所述氧化物半导体层接触，并且所述第二栅绝缘膜由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成；源漏电极；以及保护膜。所述氧化物半导体层的上表面和侧面以及所述第二栅绝缘膜的侧面在所述第一栅绝缘膜上被所述源漏电极和所述保护膜覆盖着。本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入，从而提高薄膜晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN101794821B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010103189.9

申请日：2010-01-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  藤森隆成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和显示装置。该薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极；形成有对应于所述栅电极的沟道区的氧化物半导体层；第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜被形成在所述基板和所述栅电极上，且由氮化硅膜构成；第二栅绝缘膜，所述第二栅绝缘膜被选择性地形成在所述第一栅绝缘膜上对应于所述氧化物半导体层的区域内并与所述氧化物半导体层接触，并且所述第二栅绝缘膜由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成；源漏电极；以及保护膜。所述氧化物半导体层的上表面和侧面以及所述第二栅绝缘膜的侧面在所述第一栅绝缘膜上被所述源漏电极和所述保护膜覆盖着。本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入，从而提高薄膜晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN103219388A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310011841.8

申请日：2013-01-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大岛宜浩 ,  藤森隆成 ,  广升泰信 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了抑制光影响并具有稳定特征的薄膜晶体管、其制造方法、显示单元及电子装置。所述薄膜晶体管包括：栅电极；具有面向所述栅电极的沟道区的氧化物半导体膜；以及至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物（AlXOY，其中0

公开(公告)号：CN102646716A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210029038.2

申请日：2012-02-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤森隆成 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法及显示器，其中该薄膜晶体管的制造方法包括：在栅电极的上方隔着栅绝缘膜形成由氧化物半导体制成的沟道层，形成用于覆盖沟道层的由导电材料制成的沟道保护膜，并且以与沟道保护膜相接触的方式形成一对源电极和漏电极；以及通过利用导电材料与晶体氧化物半导体之间的选择性的蚀刻，去除源电极和漏电极之间的沟道保护膜的区域。

公开(公告)号：CN101794823B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010108020.2

申请日：2010-01-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸泽成浩 ,  藤森隆成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种能够改善包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的可靠性的薄膜晶体管。薄膜晶体管，包括：栅电极；在栅电极上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅电极对应的沟道区的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上，至少在与沟道区对应的区域中形成的沟道保护膜；和源/漏电极。在栅极绝缘膜上，氧化物半导体层的顶面和侧面被源/漏电极和沟道保护膜覆盖。

公开(公告)号：CN101794823A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010108020.2

申请日：2010-01-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸泽成浩 ,  藤森隆成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种能够改善包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的可靠性的薄膜晶体管。薄膜晶体管，包括：栅电极；在栅电极上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅电极对应的沟道区的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上，至少在与沟道区对应的区域中形成的沟道保护膜；和源/漏电极。在栅极绝缘膜上，氧化物半导体层的顶面和侧面被源/漏电极和沟道保护膜覆盖。