保护电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101040415B

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN200580033603.0

    申请日:2005-09-06

    Abstract: 本发明提供包含在基板上设有电阻发热体和熔丝元件的保护器及探测部件的保护电路,保护电池组不受过电流和过电压的影响,可不依赖于电池组的电流额定值或电压额定值而使用通用的保护器,从而可低成本地制造。保护电路1A保护由二次电池6串联连接而成的电池组5免受过电流和过电压的影响,它包含在基板上设有电阻发热体3和熔丝元件4的保护器2A以及检出电池组5内的任意电池之间的过电压并接通流向电阻发热体3的电流的探测部件7。该保护电路1A在过电压时由探测部件7接通流向电阻发热体3的电流,从而对电阻发热体3施加电池组5内串联连接的预定数量电池的电压,发热电阻体3发热,使熔丝元件4熔断。

    保护元件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101174520A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710193907.4

    申请日:2003-12-05

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 一种保护元件,在基板上具有发热体和低熔点金属体,通过发热体的发热使低熔点金属体熔断,在使电流通过低熔点金属体的一对电极间,在低熔点金属体中形成薄壁部,以便当发热体发热时将该低熔点金属体的至少一部分的横截面划分为大于等于两个的独立截面;在该低熔点金属体中央部分配置设在该一对电极间的电极。此保护元件是缩短了工作时间并且稳定化的保护元件。

    保护元件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101090046A

    公开(公告)日:2007-12-19

    申请号:CN200710104568.8

    申请日:2003-12-05

    Inventor: 古内裕治

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 使低熔点金属体加热熔融时的球状分裂化性能提高的保护元件是一种在基板上具有发热体和低熔点金属体并通过发热体的发热使低熔点金属体熔断的保护元件。该保护元件具有低熔点金属体离开基底(例如绝缘层)而浮置的区域,当将夹持该区域的一对低熔点金属体用电极3a和3b、3b和3c间的低熔点金属体4的横截面积设为S(μm2),将上述浮置区域的浮置高度设为H(μm)时,满足H/S≥5×10-5的关系式。这里,上述一对低熔点金属体用电极两者的上面最好是位于比上述基底的绝缘层的上面突出的位置。或者最好是上述一对低熔点金属体用电极的上面之间有台阶差,在该一对低熔点金属体用电极之间,低熔点金属体处于倾斜状态。

    保护电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101040415A

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200580033603.0

    申请日:2005-09-06

    Abstract: 本发明提供包含在基板上设有电阻发热体和熔丝元件的保护器及探测部件的保护电路,保护电池组不受过电流和过电压的影响,可不依赖于电池组的电流额定值或电压额定值而使用通用的保护器,从而可低成本地制造。保护电路1A保护由二次电池6串联连接而成的电池组5免受过电流和过电压的影响,它包含在基板上设有电阻发热体3和熔丝元件4的保护器2A以及检出电池组5内的任意电池之间的过电压并接通流向电阻发热体3的电流的探测部件7。该保护电路1A在过电压时由探测部件7接通流向电阻发热体3的电流,从而对电阻发热体3施加电池组5内串联连接的预定数量电池的电压,发热电阻体3发热,使熔丝元件4熔断。

    保护元件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101090046B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200710104568.8

    申请日:2003-12-05

    Inventor: 古内裕治

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 使低熔点金属体加热熔融时的球状分裂化性能提高的保护元件是一种在基板上具有发热体和低熔点金属体并通过发热体的发热使低熔点金属体熔断的保护元件。该保护元件具有低熔点金属体离开基底(例如绝缘层)而浮置的区域,当将夹持该区域的一对低熔点金属体用电极3a和3b、3b和3c间的低熔点金属体4的横截面积设为S(μm2),将上述浮置区域的浮置高度设为H(μm)时,满足H/S≥5×10-5的关系式。这里,上述一对低熔点金属体用电极两者的上面最好是位于比上述基底的绝缘层的上面突出的位置。或者最好是上述一对低熔点金属体用电极的上面之间有台阶差,在该一对低熔点金属体用电极之间,低熔点金属体处于倾斜状态。

    保护元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100585767C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200710193907.4

    申请日:2003-12-05

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 一种保护元件,在基板上具有发热体和低熔点金属体,通过发热体的发热使低熔点金属体熔断,在使电流通过低熔点金属体的一对电极间,在低熔点金属体中形成薄壁部,以便当发热体发热时将该低熔点金属体的至少一部分的横截面划分为大于等于两个的独立截面;在该低熔点金属体中央部分配置设在该一对电极间的电极。此保护元件是缩短了工作时间并且稳定化的保护元件。

    保护元件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100440415C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200380107610.1

    申请日:2003-12-05

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 一种保护元件,在基板上具有发热体和低熔点金属体,通过发热体的发热使低熔点金属体熔断,其中在使电流通过低熔点金属体的一对电极间、通过设置大于等于两条的低熔点金属体作为低熔点金属体,将低熔点金属体的至少一部分横截面实质上划分为大于等于两个的独立截面。此保护元件是缩短了工作时间并且稳定化的保护元件。在此,在使电流通过低熔点金属体的一对电极间,优选设置大于等于两条的低熔点金属体。此外,还优选在使电流通过低熔点金属体的一对电极间,设置在中央部分嵌有缝隙的一条低熔点金属体。

    保护元件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100361250C

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:CN200380107636.6

    申请日:2003-12-05

    Inventor: 古内裕治

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 使低熔点金属体加热熔融时的球状分裂化性能提高的保护元件是一种在基板上具有发热体和低熔点金属体并通过发热体的发热使低熔点金属体熔断的保护元件。该保护元件具有低熔点金属体离开基底(例如绝缘层)而浮置的区域,当将夹持该区域的一对低熔点金属体用电极3a和3b、3b和3c间的低熔点金属体4的横截面积设为S(μm2),将上述浮置区域的浮置高度设为H(μm)时,满足H/S≥5×10-5的关系式。这里,上述一对低熔点金属体用电极两者的上面最好是位于比上述基底的绝缘层的上面突出的位置。或者最好是上述一对低熔点金属体用电极的上面之间有台阶差,在该一对低熔点金属体用电极之间,低熔点金属体处于倾斜状态。

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