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公开(公告)号:CN114556571A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202080065708.9
申请日:2020-09-11
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , G01S7/4865 , G01S17/08 , H04N9/04
Abstract: 本发明提出一种光接收元件,其包括:芯片上透镜;互连层;和布置在所述芯片上透镜与所述互连层之间的半导体层。所述半导体层包括光电二极管、像素间沟槽部和像素内沟槽部。所述像素间沟槽部是通过在相邻像素的边界部处挖掘所述半导体层的深度方向上的至少一部分而形成的。所述像素内沟槽部是通过在平面图中与所述光电二极管的一部分重叠的位置处从所述半导体层的正面或背面挖掘预定深度而形成的。