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公开(公告)号：CN108369949B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201680070203.5
申请日：2016-09-28
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 横川创造
IPC: H01L27/14 , H04N23/55 , H04N23/71 , H04N25/704 , H01L27/146 , G02B5/22 , G02B5/26 , G02B5/28 , G02B5/30
Abstract: 提出了固态成像元件、成像设备和用于制造固态成像元件的方法，该固态成像设备能够提供具有偏振敏感度的像素，同时抑制对非偏振入射光的敏感度的减小。根据本公开的固态成像元件包括：被包括在多个像素中的光接收元件；以及设置在光接收元件中的至少一些像素的表面上并沿着特定方向延伸的凹槽部分。包括至少相互正交的两个方向的两个或多个方向作为凹槽部分延伸的方向而存在。
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公开(公告)号：CN114631189A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080075721.2
申请日：2020-12-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , G01S7/481 , G01S17/08
Abstract: 提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。
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公开(公告)号：CN110546536B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201880026585.0
申请日：2018-05-01
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: G02B5/18 , H01L27/146
Abstract: 一种摄像器件包括光电检测器和设置在光电检测器的光接收表面上的滤光器。滤光器可以包括衍射光栅、芯层和设置在芯层的第一相对侧和第二相对侧的反射器。在一些情况下，例如GMR滤波器的滤光器利用在光的入射平面或与入射平面平行的平面上的电磁波的干涉。反射器可以反射相邻滤光器之间的电磁波。本技术可以应用于例如设有GMR滤波器的图像传感器，诸如背面照射或正面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN114731381A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079786.4
申请日：2020-12-11
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/3745
Abstract: 在受光装置(1)中，受光元件(10)包括将光转换成电荷的第一光电转换单元(PD)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元(MEM)、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极(150)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元(MEM)和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极(150)，其中当从半导体基板(200)的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
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公开(公告)号：CN110546536A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026585.0
申请日：2018-05-01
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: G02B5/18 , H01L27/146
Abstract: 一种摄像器件包括光电检测器和设置在光电检测器的光接收表面上的滤光器。滤光器可以包括衍射光栅、芯层和设置在芯层的第一相对侧和第二相对侧的反射器。在一些情况下，例如GMR滤波器的滤光器利用在光的入射平面或与入射平面平行的平面上的电磁波的干涉。反射器可以反射相邻滤光器之间的电磁波。本技术可以应用于例如设有GMR滤波器的图像传感器，诸如背面照射或正面照射型CMOS图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106461829B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201580029185.1
申请日：2015-05-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 横川创造
Abstract: 本技术涉及光滤波器、固态成像设备和电子装置，这使得抑制由于相对于期望的传输成分的短波长侧上的波长成分而出现的色彩混合成为可能。该光滤波器包括：金属薄膜滤波器，其中，多个开口以周期性的方式布置；第一介质层，覆盖金属薄膜滤波器的表面并且形成以覆盖或填充金属薄膜滤波器的开口；以及第二介质层，具有的折射率低于第一介质层的折射率并且至少形成在金属薄膜滤波器的入射表面上。金属薄膜滤波器中的开口的直径小于第二介质层中的要传输的电磁辐射的在第二介质层中的波长。第一介质层的厚度小于或者大致等于所述电磁波在第二介质层中的波长。本技术可应用于孔阵列滤波器。
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公开(公告)号：CN109906512A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780063643.2
申请日：2017-10-13
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本发明涉及一种背面照射型摄像元件，其能够提高对红外光的灵敏度；还涉及一种电子设备。根据本发明的摄像元件设置有：设置有光电转换部的半导体基板；配线层，其布置在半导体基板的位于光接收表面的相对侧的表面上，并且包括配线和反射膜；和层叠在半导体基板和配线层之间的绝缘膜。反射膜布置在绝缘膜和配线层之间，并且在作为半导体基板和配线层的层叠方向的第一方向上与每个像素的光电转换部的至少一部分重叠；并且在绝缘膜和反射膜之间的第一层间膜比绝缘膜厚。本发明例如可以用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN116636018A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180089231.2
申请日：2021-08-13
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/0232
Abstract: 根据本公开的固态成像装置包括多个像素(100)，每个所述像素包括：基板(140)，其具有用作光入射面的第一表面；光电转换部(121)，位于所述基板内部；遮光部(130)，其设置在所述第一表面一侧并且具有允许光入射到所述光电转换部的孔部(160)；和第一透镜(123a)，其由硅构成，其被设置在所述遮光部上并且将入射光朝着所述孔部会聚。
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公开(公告)号：CN108292665B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201680071102.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 在固态图像拾取元件中主要是提高近红外光的灵敏度，并抑制混色。固态图像拾取元件包括像素、光接收表面侧沟槽和光接收表面侧屏蔽构件。在固态图像拾取元件中的像素的光接收表面上形成多个突起。另外，在具有形成在固态图像拾取元件中的光接收表面处的多个突起的像素周围形成光接收表面侧沟槽。另外，将光接收表面侧构件掩埋在像素周围形成的光接收表面侧沟槽中，该像素具有形成在固态图像拾取元件中的光接收表面上的多个突起。另外，近红外光像素的光电转换区域扩展到与可见光像素的光电转换区域的光接收表面相对的表面侧。另外，在与光接收表面相对的表面的像素内进一步形成沟槽。
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公开(公告)号：CN114556571A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080065708.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , G01S7/4865 , G01S17/08 , H04N9/04
Abstract: 本发明提出一种光接收元件，其包括：芯片上透镜；互连层；和布置在所述芯片上透镜与所述互连层之间的半导体层。所述半导体层包括光电二极管、像素间沟槽部和像素内沟槽部。所述像素间沟槽部是通过在相邻像素的边界部处挖掘所述半导体层的深度方向上的至少一部分而形成的。所述像素内沟槽部是通过在平面图中与所述光电二极管的一部分重叠的位置处从所述半导体层的正面或背面挖掘预定深度而形成的。
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