公开(公告)号：CN101111993A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680003423.2

申请日：2006-01-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 逢坂勉 ,  佐藤进

IPC: H03H3/02 ,  H01L41/22 ,  H01L21/302 ,  H01L41/09 ,  H03H9/17 ,  B81C1/00

CPC classification number: H03H9/173 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00476 ,  H01L21/31111 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02149 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种能够抑制构造体腐蚀的微型机器的制造方法以及微型机器。其特征在于，具有：在基板(11)上构图形成具有含有氟化氢的解离物质的硅氧化物类材料的牺牲层(12)的第一工序；以覆盖牺牲层(12)的状态在上述基板(11)上形成构造体(16)的第二工序；在牺牲层(12)上的构造体(16)上形成到达牺牲层(12)的孔部(18)的第三工序；从孔部(18)只导入氟化氢气体或者只导入氟化氢气体和惰性气体，利用牺牲层(12)中的解离物质来进行牺牲层(12)的蚀刻，由此在基板(11)和构造体(16)之间形成振动空间的第四工序。