用于晶片的共晶键合的方法和晶片复合体

    公开(公告)号:CN109311661A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780035676.6

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种用于晶片的共晶键合的方法,所述方法具有以下步骤:(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)以及间距保持件(400)的第二晶片(20);(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上,其中,所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上;(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上,其中,所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中;(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶合金使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。本发明也涉及一种共晶键合的晶片复合体和具有这种共晶键合的晶片复合体的微机械装置。

    用于晶片的共晶键合的方法和晶片复合体

    公开(公告)号:CN109311661B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN201780035676.6

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种用于晶片的共晶键合的方法,所述方法具有以下步骤:(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)以及间距保持件(400)的第二晶片(20);(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上,其中,所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上;(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上,其中,所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中;(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶合金使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。本发明也涉及一种共晶键合的晶片复合体和具有这种共晶键合的晶片复合体的微机械装置。

    具有微机械的麦克风结构的组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102714772B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201080060665.1

    申请日:2010-11-05

    CPC classification number: H04R19/005

    Abstract: 本发明涉及用于改进以牺牲层技术制造的麦克风组件的声学特性的措施。这样的组件(10)的微机械的麦克风结构以层结构实现并且包括至少一个可通过声压偏转的膜片以及一个用于所述膜片的、固定的、在声学上可透过的对应元件(12),所述膜片以膜片层实现,所述对应元件以所述膜片层上方的厚的功能层实现并且设有用于声耦入的通孔(13)。根据本发明,用于声耦入的通孔(13)设置在所述膜片的中部区域上方,而在所述膜片的边缘区域上方结构化有所述对应元件(12)中的在声学上在最大程度上被动的穿孔(14)。

    具有微机械的麦克风结构的组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102714772A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201080060665.1

    申请日:2010-11-05

    CPC classification number: H04R19/005

    Abstract: 本发明涉及用于改进以牺牲层技术制造的麦克风组件的声学特性的措施。这样的组件(10)的微机械的麦克风结构以层结构实现并且包括至少一个可通过声压偏转的膜片以及一个用于所述膜片的、固定的、在声学上可透过的对应元件(12),所述膜片以膜片层实现,所述对应元件以所述膜片层上方的厚的功能层实现并且设有用于声耦入的通孔(13)。根据本发明,用于声耦入的通孔(13)设置在所述膜片的中部区域上方,而在所述膜片的边缘区域上方结构化有所述对应元件(12)中的在声学上在最大程度上被动的穿孔(14)。

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