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公开(公告)号：CN102026909B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200880129170.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提出一种用于制造芯片(1，2)的方法，其中，首先在半导体衬底(10)的表面层中生成至少一个跨越空穴(13)的薄膜(11，12)。随后将芯片(1，2)的功能性集成到所述薄膜(11，12)中。为了将芯片(1，2)分成单个，将薄膜(11，12)从衬底接合部脱开。根据本发明，应当在将芯片(1，2)从衬底接合部脱出之前在电镀工艺中对芯片背面进行金属化。
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公开(公告)号：CN101803003A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106772.6
申请日：2008-07-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81C1/00896 , B81C2201/053
Abstract: 通过本发明提出了一种用于芯片的制造方法，在该方法中，以晶片复合体的形式，即对多个设置在一个晶片上的芯片并行地执行尽可能多的方法步骤。在此涉及一种用于制造多个芯片的方法，这些芯片的功能性基于基底(1)的表面层(2)实现。在该方法中，所述表面层(2)被结构化并且在所述表面层(2)下方产生至少一个空腔(3)，使得单独的芯片区域(5)仅通过悬挂短臂相互连接和/或与其余的基底(1)连接，和/或，使得这些单独的芯片区域(5)通过所述空腔(3)的区域中的支撑元件(7)与所述空腔(3)下方的基底层(4)连接。在分离这些芯片时，这些悬挂短臂和/或支撑元件(7)被分开。按本发明在分离这些芯片之前将所述基底(1)的结构化的且下方挖空的所述表面层(2)嵌入到一塑料质量(10)中。
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公开(公告)号：CN102026909A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200880129170.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 提出一种用于制造芯片(1，2)的方法，其中，首先在半导体衬底(10)的表面层中生成至少一个跨越空穴(13)的薄膜(11，12)。随后将芯片(1，2)的功能性集成到所述薄膜(11，12)中。为了将芯片(1，2)分成单个，将薄膜(11，12)从衬底接合部脱开。根据本发明，应当在将芯片(1，2)从衬底接合部脱出之前在电镀工艺中对芯片背面进行金属化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101119924A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580048189.0
申请日：2005-12-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/053
Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。
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公开(公告)号：CN101119924B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200580048189.0
申请日：2005-12-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/053
Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。
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公开(公告)号：CN102099281B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200980128186.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C99/008 , B81B7/0006 , B81B2207/093
Abstract: 本发明提出一种用于制造构件的方法，其中，在第一制造步骤中提供一具有衬底、膜片和空穴区域的基本结构，膜片基本上平行于衬底的主延伸平面设置，空穴区域设置在衬底与膜片之间，空穴区域具有进入开口，并且在第二制造步骤中在空穴区域中并且尤其是在膜片的垂直于主延伸平面面向衬底的第二侧面上至少部分地设置第一导电层。
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公开(公告)号：CN102099281A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128186.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C99/008 , B81B7/0006 , B81B2207/093
Abstract: 本发明提出一种用于制造构件的方法，其中，在第一制造步骤中提供一具有衬底、膜片和空穴区域的基本结构，膜片基本上平行于衬底的主延伸平面设置，空穴区域设置在衬底与膜片之间，空穴区域具有进入开口，并且在第二制造步骤中在空穴区域中并且尤其是在膜片的垂直于主延伸平面面向衬底的第二侧面上至少部分地设置第一导电层。
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公开(公告)号：CN101189423A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680020038.9
申请日：2006-05-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·伯格 , R·克拉特 , R·丹纳 , H·巴思 , A·普法夫尔 , R·斯特罗梅尔 , T·布莱尔 , M·谢特 , M·伊林 , W·德雷斯勒 , T·汉德勒 , C·劳 , T·波尔 , G·弗利克 , U·舒尔茨 , W·费希尔 , M·舒勒 , J·巴洛 , J·-P·哈托特
CPC classification number: G01F1/6965 , F02D41/187 , F02D41/2474 , G01F25/0007
Abstract: 建议了一种用于校正传感器(1)的信号的方法和设备，该方法和设备实现传感器(1)的特征曲线的尽可能准确的漂移补偿。在此，传感器(1)的信号的至少一个特征量与参考值进行比较。根据比较结果来校正传感器(1)的信号。由传感器(1)的信号所导出的、传感器(1)的信号的至少一个特征量的值被构成为参考值。
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