公开(公告)号：CN1564780B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN02819846.8

申请日：2002-07-25

Applicant: 罗伯特-博希股份公司

Inventor： H·本泽尔 ,  H·韦伯 ,  H·阿特曼恩 ,  T·帕内克 ,  F·沙弗

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支撑式的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔的薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在形成薄膜的部位中与凹槽相比获得不同种类和程度的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在形成薄膜的部位中产生中孔隙，而在以后形成凹槽的部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。

公开(公告)号：CN1564780A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN02819846.8

申请日：2002-07-25

Applicant: 罗伯特-博希股份公司

Inventor： H·本泽尔 ,  H·韦伯 ,  H·阿特曼恩 ,  T·帕内克 ,  F·沙弗

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支护的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在薄膜部位中与凹槽相比获得不同的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在薄膜部位中产生中孔隙，而在以后的凹槽部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。