公开(公告)号：CN1005240B

公开(公告)日：1989-09-20

申请号：CN86101886

申请日：1986-03-22

Applicant: 舍林股份公司

Inventor： 哈拉尔德·苏尔 ,  克里斯蒂安·奥尔 ,  俄恩斯特·弗尤尔

IPC: H05K3/18 ,  C23C16/18 ,  C23C18/16

CPC classification number: C23C16/18 ,  H05K3/146 ,  H05K3/24 ,  H05K2201/0347

Abstract: 本发明涉及一种在非导体上制造导电结构的方法，其特征在于，金属覆盖层是通过金属有机化合物在辉光放电区分解而沉积的。

公开(公告)号：CN86101886A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86101886

申请日：1986-03-22

Applicant: 舍林股份公司

Inventor： 哈拉尔德·苏尔 ,  克里斯蒂安·奥尔 ,  俄恩斯特·弗尤尔

IPC: H05K3/18 ,  C23C16/18 ,  C23C18/16

CPC classification number: C23C16/18 ,  H05K3/146 ,  H05K3/24 ,  H05K2201/0347

Abstract: 本发明涉及一种在非导体上制造导电结构的方法，其特征在于，金属覆盖层是通过金属有机化合物在辉光放电区分解而沉积的。