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公开(公告)号:CN1795530A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200480014061.8
申请日:2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 一种等离子体装置、等离子体装置的各种构件以及无氧且无氮的方法,用于自含有碳及/或氢的低k介电层的基板有效移除光致抗蚀剂材料以及蚀刻后的残留物。
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公开(公告)号:CN1802722B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200480014072.6
申请日:2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/427 , H01J37/32357 , H01J37/32834 , H01J37/32935 , H01J2237/3342 , H01L21/67069
Abstract: 一种用于从包括一低k电介质的一基板上移除有机物质的等离子体灰化装置,所述装置包含:一第一气体源;一与第一气体源流体连通的等离子体产生构件;一与等离子体产生构件流体连通的处理室;一与处理室流体连通的排放导管;其中排放导管包含用于引入一第二气体源的一入口,且一后燃烧组件耦接至排放导管,该入口设置在处理室与后燃烧组件的中间,且该后燃烧组件包含用于在有或无自第二气体源引入一气体的条件下而在排放导管内产生一等离子体的机构;及,一光学放射光谱装置,其耦接至排放导管,且包含聚焦在后燃烧组件的一等离子体释放区域内的聚光器件。一种用于无氧及无氮的等离子体处理的终点检测方法,包括:监视在等离子体灰化装置的排放导管中的一后燃烧器激发物种的一光学放射信号。所述方法和装置可用于含碳和/或氢的低k介电材料。
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公开(公告)号:CN1795530B
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200480014061.8
申请日:2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 一种等离子体装置、等离子体装置的各种构件以及无氧且无氮的方法,用于自含有碳及/或氢的低k介电层的基板有效移除光致抗蚀剂材料以及蚀刻后的残留物。
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公开(公告)号:CN1802722A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200480014072.6
申请日:2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/427 , H01J37/32357 , H01J37/32834 , H01J37/32935 , H01J2237/3342 , H01L21/67069
Abstract: 一种用于从包括一低k电介质的一基板上移除有机物质的等离子体灰化装置,所述装置包含:一第一气体源;一与第一气体源流体连通的等离子体产生构件;一与等离子体产生构件流体连通的处理室;一与处理室流体连通的排放导管;其中排放导管包含用于引入一第二气体源的一入口,且一后燃烧组件耦接至排放导管,该入口设置在处理室与后燃烧组件的中间,且该后燃烧组件包含用于在有或无自第二气体源引入一气体的条件下而在排放导管内产生一等离子体的机构;及,一光学放射光谱装置,其耦接至排放导管,且包含聚焦在后燃烧组件的一等离子体释放区域内的聚光器件。一种用于无氧及无氮的等离子体处理的终点检测方法,包括:监视在等离子体灰化装置的排放导管中的一后燃烧器激发物种的一光学放射信号。所述方法和装置可用于含碳和/或氢的低k介电材料。
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