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公开(公告)号:CN100423183C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200480035950.2
申请日:2004-12-03
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01L21/00 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/68764 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68792
Abstract: 本发明揭示一种离子束植入器,其包括离子束源,用以产生沿着一束线运动的离子束,以及一个真空或是植入腔体,在其中一个工件放置于与离子束相交的位置,以离子束进行工件表面的离子植入。离子束植入器进一步包括耦合于植入腔体且支撑工件的一个工件支撑架构。工件支撑架构包括一个夹盘,其包括用来支撑工件的可旋转基座。工件支撑架构进一步包括第一可旋转滚动条,其耦合于并且与基座一起旋转,以及一个空心柔性线,其运送设备例如冷却剂线以及耦合于第一可旋转滚动条的电导体,因此当基座以第一方向旋转时,柔性线包住第一滚动条的长度增加,当基座以相反方向旋转时,柔性线包住第一滚动条的长度减少。
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公开(公告)号:CN1890776A
公开(公告)日:2007-01-03
申请号:CN200480035950.2
申请日:2004-12-03
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01L21/00 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/68764 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68792
Abstract: 本发明揭示一种离子束植入器,其包括离子束源,用以产生沿着一束线运动的离子束,以及一个真空或是植入腔体,在其中一个工件放置于与离子束相交的位置,以离子束进行工件表面的离子植入。离子束植入器进一步包括耦合于植入腔体且支撑工件的一个工件支撑架构。工件支撑架构包括一个夹盘,其包括用来支撑工件的可旋转基座。工件支撑架构进一步包括第一可旋转滚动条,其耦合于并且与基座一起旋转,以及一个可弯曲空心线,其运送设备例如冷却剂线以及耦合于第一可旋转滚动条的电力导体,因此当基座以第一方向旋转时,可弯曲线包住第一滚动条的长度增加,当基座以相反方向旋转时,可弯曲线包住第一滚动条的长度减少。
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