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公开(公告)号：CN118359167B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410788404.5
申请日：2024-06-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN117915251B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410312080.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、麦克风，制作方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制作背极板，背极板包括固定电极层和位于固定电极层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第二绝缘层位于第一绝缘层靠近衬底一侧，固定电极层和第二绝缘层开设有声孔，第一绝缘层在具有声孔的固定电极层上制作成型；对第一绝缘层进行刻蚀，以形成至少一个凸起结构和与所述声孔至少部分交叠的贯穿孔，所述凸起结构容置于所述贯穿孔；在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。
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公开(公告)号：CN116986550B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311252106.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种气流传感器及气流传感器封装结构，其中，气流传感器包括层叠设置的基底、振动电极以及固定电极，所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔，旨在通过在气流传感器的固定电极上设置有泄气孔、振动电极的振动敏感区域的周向边缘设置有均压孔，在基底的厚度方向上，所述均压孔的投影与所述泄气孔的投影交叠，经由所述均压孔、所述泄气孔以及间隙层通道共同形成泄气通道，从而有利于进入至气流传感器中的污染物沿着泄气通道顺畅地扩散出去。进而实现在非工作状态下，振动电极的朝向背腔的一侧表面与振动电极的远离背腔的一侧表面的压力均衡，以防止与气流传感器相连接的ASIC检测到信号，从而引起其它部件的误触发。
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公开(公告)号：CN116405857A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310675561.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种降噪式MEMS麦克风及电子设备，包括：基板；外壳罩设于基板，外壳设有第一腔体和第二腔体；第一MEMS传感器，设于第一腔体内，用于生成第一振动信号；第二MEMS传感器，设于第二腔体内，用于生成第二振动信号和声信号；电路，用于对第一振动信号、第二振动信号以及声信号进行差分处理，生成差分处理后的输出信号。第二MEMS传感器既能拾取声信号又能拾取振动信号，第一MEMS传感器仅能拾取机械振动信号，通过差分处理，从而降低噪声中的机械振动引起的噪声，提高降噪式MEMS麦克风的信噪比；同时提高了MEMS麦克风整理的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN118359167A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410788404.5
申请日：2024-06-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117915251A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410312080.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、麦克风，制作方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制作背极板，背极板包括固定电极层和位于固定电极层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第二绝缘层位于第一绝缘层靠近衬底一侧，固定电极层和第二绝缘层开设有声孔，第一绝缘层在具有声孔的固定电极层上制作成型；对第一绝缘层进行刻蚀，以形成至少一个凸起结构和与所述声孔至少部分交叠的贯穿孔，所述凸起结构容置于所述贯穿孔；在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。
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公开(公告)号：CN116986550A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311252106.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种气流传感器及气流传感器封装结构，其中，气流传感器包括层叠设置的基底、振动电极以及固定电极，所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔，旨在通过在气流传感器的固定电极上设置有泄气孔、振动电极的振动敏感区域的周向边缘设置有均压孔，在基底的厚度方向上，所述均压孔的投影与所述泄气孔的投影交叠，经由所述均压孔、所述泄气孔以及间隙层通道共同形成泄气通道，从而有利于进入至气流传感器中的污染物沿着泄气通道顺畅地扩散出去。进而实现在非工作状态下，振动电极的朝向背腔的一侧表面与振动电极的远离背腔的一侧表面的压力均衡，以防止与气流传感器相连接的ASIC检测到信号，从而引起其它部件的误触发。
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公开(公告)号：CN116405857B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310675561.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种降噪式MEMS麦克风及电子设备，包括：基板；外壳罩设于基板，外壳设有第一腔体和第二腔体；第一MEMS传感器，设于第一腔体内，用于生成第一振动信号；第二MEMS传感器，设于第二腔体内，用于生成第二振动信号和声信号；电路，用于对第一振动信号、第二振动信号以及声信号进行差分处理，生成差分处理后的输出信号。第二MEMS传感器既能拾取声信号又能拾取振动信号，第一MEMS传感器仅能拾取机械振动信号，通过差分处理，从而降低噪声中的机械振动引起的噪声，提高降噪式MEMS麦克风的信噪比；同时提高了MEMS麦克风整体的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN222795169U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202421642286.9
申请日：2024-07-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS芯片和麦克风，MEMS芯片包括背极板，背极板包括：导电层、电极和牺牲结构；所述电极和所述牺牲结构设置于所述导电层，所述牺牲结构和所述电极之间设置有防护结构，所述牺牲结构具有导电性，以使所述导电层位于所述牺牲结构下部位的耐腐蚀性小于所述导电层位于所述电极下部位的耐腐蚀性。本实用新型所提供的技术方案能够解决现有技术中在腐蚀空腔结构过程中，释放工艺的释放溶液会沿着焊线连接点的边界腐蚀下边的导电层，导致导电层断裂，破坏焊线连接点与导电层之间的电性连接的技术问题。
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公开(公告)号：CN222299022U
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202421067288.X
申请日：2024-05-16
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种微差压传感器及封装结构，其中，微差压传感器包括基底、至少一个电极对、支撑层。基底包括在其厚度方向上贯通的腔体。电极对沿基底厚度方向设置且位于腔体内，每个电极对包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间具有第一空腔，至少有一个电极对的一侧与基底之间具有第二空腔，第一空腔和腔体相分隔，腔体与所述第二空腔相连通。支撑层包括固定连接的第一部分和第二部分，第一部分层叠设置于基底的一侧表面，第二部分位于腔体内且包覆第一电极和第二电极。本申请充分利用基板的厚度方向的空间，结构更紧凑，在减小传感器尺寸的同时并没有降低传感器的灵敏度。
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