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公开(公告)号：CN110482477B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201910851812.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体，所述第一金属壳体具有第一声孔；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体，所述第二金属壳体具有侧壁朝向内侧凹陷的第二声孔，所述第二声孔的侧壁与所述第一金属壳体密封连接，所述第一声孔与所述第二声孔连通；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号：CN110475192B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201910818390.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抗静电基板及采用该抗静电基板的硅麦克风，所述抗静电基板包括绝缘基体及贯穿所述绝缘基体的声孔，所述基板还包括：导电连接层，所述导电连接层设置在所述声孔侧壁；至少两层导电层，横向设置在所述绝缘基体中，并通过所述导电连接层电连接，在所述绝缘基体上表面，最上层导电层位于所述声孔周围的区域被暴露，形成静电传导环，在所述绝缘基体下表面，最下层导电层的部分区域被暴露，形成电接触区，所述电接触区能够通过导电装置接地；声孔周围产生的静电能够经所述静电传导环、所述导电连接层及所述电接触区传导至接地处。本发明的优点是，能够快速消除基板上方的静电，避免其影响器件性能。
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公开(公告)号：CN110526199B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910851641.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内；通道，位于所述电路板内，所述通道一端连通至所述麦克风芯片的背腔；声孔，开设于所述电路板内，连通至所述第一腔体。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号：CN110677794A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911016030.0
申请日：2019-10-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种麦克风封装结构及其形成方法，所述麦克风封装结构包括：基板，所述基板表面形成有第一凹陷部；封装壳体，所述封装壳体固定于所述基板表面，与所述基板之间形成第一腔体；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内，所述麦克风芯片包括压力感应层以及支撑结构，所述支撑结构与所述压力感应层之间形成第二腔体，所述支撑结构顶部支撑所述压力感应层，底部固定于所述基板表面，使得所述第二腔体与所述第一凹陷部连通，且所述第一凹陷部位于所述第二腔体在基板表面的投影内。上述麦克风封装结构的麦克风芯片的声学性能不受封装工艺影响。
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公开(公告)号：CN110631759A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910933507.5
申请日：2019-09-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种差压传感器封装结构及电子设备，所述差压传感器封装结构包括：基板与外壳，所述外壳边缘固定于所述基板的正面，与所述基板之间形成第一腔体；至少一个电容式压力传感元件，位于所述第一腔体内，所述电容式压力传感元件具有第二腔体以及压力感应层，所述压力感应层位于所述第一腔体与所述第二腔体之间，所述压力感应层包括背极板以及与背极板相对的振膜，所述背极板与所述振膜构成电容；所述第一腔体通过第一通孔与外部连通，所述第二腔体通过第二通孔与外部连通。所述差压传感器尺寸较小且功耗较低，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117354705B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311642780.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、以及麦克风、电子设备，其中，声电转换结构的制作方法包括：提供衬底，并在衬底的一侧制作第一绝缘层；在第一绝缘层上方制作阻尼结构层；在阻尼结构层背离衬底的一侧制作第二绝缘层；在第二绝缘层上方制作背极板层，并在背极板层刻蚀出在厚度方向上贯穿背极板层的声孔；在背极板层背离阻尼结构层的一侧制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作振膜层；对衬底进行刻蚀，以刻蚀出贯穿衬底的背腔；通过背腔处将部分第一绝缘层、部分第二绝缘层、部分第三绝缘层刻蚀掉，以得到声电转换结构。本发明所提供的技术方案既实现了声电转换结构的单指向性能，同时又保障了声电转换结构对声音拾取的一致性。
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公开(公告)号：CN117168546A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311442947.3
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01D21/02 , B81C3/00 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01D5/16 , G01L1/20 , G01L9/02 , G01K7/16
Abstract: 本申请提供一种温压复合式传感器及其制备方法、封装结构。其中，温压复合式传感器，包括：第一基板；第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述第二基板和所述第一基板围合有腔体；压力敏感电阻，所述压力敏感电阻位于所述腔体内；温度敏感电阻，所述温度敏感电阻位于所述腔体外。本申请提供的一种温压复合式传感器，可以进行温度和压力的同时测量，且在提高了温度测量的准确性的前提下，同时提高了温压复合式传感器的可靠性和稳定性，同时可以测量来自不同方向的压力，还可以避免温度对压力测量结果的干扰，从而提高压力测量的准确性。
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公开(公告)号：CN116405857B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310675561.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种降噪式MEMS麦克风及电子设备，包括：基板；外壳罩设于基板，外壳设有第一腔体和第二腔体；第一MEMS传感器，设于第一腔体内，用于生成第一振动信号；第二MEMS传感器，设于第二腔体内，用于生成第二振动信号和声信号；电路，用于对第一振动信号、第二振动信号以及声信号进行差分处理，生成差分处理后的输出信号。第二MEMS传感器既能拾取声信号又能拾取振动信号，第一MEMS传感器仅能拾取机械振动信号，通过差分处理，从而降低噪声中的机械振动引起的噪声，提高降噪式MEMS麦克风的信噪比；同时提高了MEMS麦克风整体的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN110526199A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910851641.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内；通道，位于所述电路板内，所述通道一端连通至所述麦克风芯片的背腔；声孔，开设于所述电路板内，连通至所述第一腔体。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号：CN110482477A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910851812.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体，所述第一金属壳体具有第一声孔；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体，所述第二金属壳体具有侧壁朝向内侧凹陷的第二声孔，所述第二声孔的侧壁与所述第一金属壳体密封连接，所述第一声孔与所述第二声孔连通；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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