公开(公告)号：CN117571800A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311497314.2

申请日：2023-11-10

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 胡敬 ,  朱滇成 ,  刘波 ,  顾林炎 ,  魏涛 ,  程淼 ,  刘倩倩 ,  王瑞瑞 ,  陈明 ,  李宛飞 ,  凌云

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明公开了一种气体传感器，涉及气体检测设备技术领域，包括基体和设置在所述基体表面上的经退火处理后的元素共掺的GaN薄膜和铟纳米线，所述元素共掺的GaN薄膜与所述铟纳米线重叠设置形成异质结，所述元素共掺的GaN薄膜与所述铟纳米线非重叠的端部均设置有导电金属薄膜；本发明还公开了一种上述气体传感器的制备方法，通过在基体表面溅射元素共掺的GaN薄膜，进行退火后再溅射置换金属薄膜，再在乙酰丙酮铟水溶液中进行置换反应，再溅射导电金属薄膜，得到气体传感器；本发明还公开了一种上述气体传感器在H2检测或NO2检测中的应用，能够提高气体传感器的稳定性，以及对气体检测的灵敏度，同时降低气体检测的成本。