公开(公告)号：CN107709225B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201580080251.8

申请日：2015-06-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K.L.林 ,  C.帕瓦舍 ,  R.金 ,  I.A.扬 ,  K.J.辛格 ,  R.L.布里斯托尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。

公开(公告)号：CN107709225A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201580080251.8

申请日：2015-06-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K.L.林 ,  C.帕瓦舍 ,  R.金 ,  I.A.扬 ,  K.J.辛格 ,  R.L.布里斯托尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0771

Abstract: 将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。