公开(公告)号：CN104681745A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410688267.4

申请日：2014-11-26

Applicant: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

Inventor： H.埃施特尔 ,  T.豪克 ,  B.K.洪 ,  A.希雷 ,  M.斯塔夫雷夫 ,  A.瓦特 ,  M.福格特

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0023 ,  H01L51/5218

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在半导体工件之上形成金属层结构；在金属层结构之上形成第一层，第一层包括第一材料；在第一层和金属层结构中形成至少一个开口；沉积第二层以填充至少一个开口并且至少部分地覆盖第一层的与金属层结构相背的表面，第二层包括与第一材料不同的第二材料；至少从第一层的与金属层结构相背的表面去除第二层；以及去除第一层。

公开(公告)号：CN105417489A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510363290.0

申请日：2015-06-26

Applicant: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

Inventor： S.比泽尔特 ,  B.宾德 ,  H.弗勒利希 ,  T.考奇 ,  M.施特格曼 ,  M.福格特

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2203/0721 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0073

Abstract: 微机械系统和用于制造微机械系统的方法。制造微机械系统的方法包括在FEOL工艺中在晶体管区域中形成晶体管的步骤。在FEOL工艺之后，在晶体管区域中沉积保护层，其中保护层包括隔离材料。至少在不是晶体管区域的区域中形成结构化牺牲层。此外，形成至少部分覆盖结构化牺牲层的功能层。在形成功能层之后，去除牺牲层以便在功能层与沉积有牺牲层的表面之间产生空腔。保护层保护晶体管避免在MOL以及BEOL工艺中的进一步处理步骤中的蚀刻工艺期间受到损害。相同的氧化物可以用作BEOL中的金属化工艺的基础。因此，通常用作晶体管的保护的保护层可以保留在晶体管上方。因此，在BEOL工艺之前施加的保护层变成氧化物覆盖物的部分。

公开(公告)号：CN105417489B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201510363290.0

申请日：2015-06-26

Applicant: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

Inventor： S.比泽尔特 ,  B.宾德 ,  H.弗勒利希 ,  T.考奇 ,  M.施特格曼 ,  M.福格特

IPC: H01L21/00

Abstract: 微机械系统和用于制造微机械系统的方法。制造微机械系统的方法包括在FEOL工艺中在晶体管区域中形成晶体管的步骤。在FEOL工艺之后，在晶体管区域中沉积保护层，其中保护层包括隔离材料。至少在不是晶体管区域的区域中形成结构化牺牲层。此外，形成至少部分覆盖结构化牺牲层的功能层。在形成功能层之后，去除牺牲层以便在功能层与沉积有牺牲层的表面之间产生空腔。保护层保护晶体管避免在MOL以及BEOL工艺中的进一步处理步骤中的蚀刻工艺期间受到损害。相同的氧化物可以用作BEOL中的金属化工艺的基础。因此，通常用作晶体管的保护的保护层可以保留在晶体管上方。因此，在BEOL工艺之前施加的保护层变成氧化物覆盖物的部分。