公开(公告)号：CN103426721B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310197256.1

申请日：2013-05-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.格里勒 ,  U.黑德尼希 ,  D.毛雷尔 ,  M.茨加加

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/30608 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0125 ,  H04R19/005

Abstract: 用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法。用于在第一主表面处加工具有微机电系统结构的晶片的方法包括在第二主表面处施加掩蔽材料并且构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成多个凹进。至少在其中一些掩蔽区域处，所述掩蔽材料然后被去除以得到预先掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以在预先掩蔽区域处增加凹进的深度和减小晶片的厚度。

公开(公告)号：CN103426721A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310197256.1

申请日：2013-05-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.格里勒 ,  U.黑德尼希 ,  D.毛雷尔 ,  M.茨加加

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/30608 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0125 ,  H04R19/005

Abstract: 用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法。用于在第一主表面处加工具有微机电系统结构的晶片的方法包括在第二主表面处施加掩蔽材料并且构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成多个凹进。至少在其中一些掩蔽区域处，所述掩蔽材料然后被去除以得到预先掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以在预先掩蔽区域处增加凹进的深度和减小晶片的厚度。