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公开(公告)号：CN105277492B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201510321616.3
申请日：2015-06-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明涉及使用环形谐振器传感器的液体感测系统和方法。公开了一种具有多通道相互作用区的传感器系统。系统包括输入区、多通道区和输出区。输入区被配置成接收所发射的光。多通道区耦合到输入区并且被配置成根据接近多通道区的样品吸收所发射的光的部分。输出区耦合到多通道区并且被配置成提供来自多通道区的经相互作用的光。
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公开(公告)号：CN105277489B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510436353.0
申请日：2015-07-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/17
Abstract: 使用耦合结构的感测系统和方法。公开了一种具有耦合结构的传感器系统。该系统包括输入耦合结构、互作用区域以及输出耦合结构。该输入耦合结构被配置成以所选耦合效率接收发射光并可针对所选波长提供对发射光的滤波。互作用区域被耦合到输入耦合结构并被配置成使来自输入耦合结构的光与样品相互作用。输出耦合结构被耦合到互作用区域并被配置成从互作用区域向检测器提供相互作用的光。
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公开(公告)号：CN104854443B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380056723.7
申请日：2013-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/552 , G01N21/77
CPC classification number: G01N21/552 , G01N21/648 , G01N21/7703 , G01N21/7746
Abstract: 本公开的一些实施例涉及具有实现在单个硅集成芯片上的硅波导的红外（IR）光电传感器。IR传感器具有半导体衬底，所述半导体衬底具有沿着辐射输入导管与辐射输出导管之间的长度延伸的硅波导。辐射输入导管将辐射耦合到硅波导中，而辐射输出导管将辐射从硅波导耦合出。硅波导以单模将IR辐射从辐射输入导管运送到辐射输出导管。当辐射由硅波导运送时，形成从硅波导向外延伸以与定位在辐射输入导管与辐射输出导管之间的样品相互作用的渐逝场。
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公开(公告)号：CN103426721A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310197256.1
申请日：2013-05-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/32
CPC classification number: H01L21/30608 , B81C1/00619 , B81C2201/0125 , H04R19/005
Abstract: 用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法。用于在第一主表面处加工具有微机电系统结构的晶片的方法包括在第二主表面处施加掩蔽材料并且构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成多个凹进。至少在其中一些掩蔽区域处，所述掩蔽材料然后被去除以得到预先掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以在预先掩蔽区域处增加凹进的深度和减小晶片的厚度。
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公开(公告)号：CN107396276B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710307929.2
申请日：2017-05-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在这里讨论了如下方面：微机电设备、微机电设备的阵列、制造微机电设备的方法以及操作微机电设备的方法。该微机电设备可以包括：衬底；机械耦合至该衬底的隔膜，该隔膜包括用以使隔膜弯曲到两个几何稳定位置之一中的应力区；机械耦合至隔膜的致动器，该致动器包括在隔膜之上的压电层；控制器，其被配置成响应于数字声音输入来提供电控制信号；其中该致动器被配置成接收电控制信号来经由压电层将机械压电力施加于隔膜上，以使隔膜移动来创建声波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107396276A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710307929.2
申请日：2017-05-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在这里讨论了如下方面：微机电设备、微机电设备的阵列、制造微机电设备的方法以及操作微机电设备的方法。该微机电设备可以包括：衬底；机械耦合至该衬底的隔膜，该隔膜包括用以使隔膜弯曲到两个几何稳定位置之一中的应力区；机械耦合至隔膜的致动器，该致动器包括在隔膜之上的压电层；控制器，其被配置成响应于数字声音输入来提供电控制信号；其中该致动器被配置成接收电控制信号来经由压电层将机械压电力施加于隔膜上，以使隔膜移动来创建声波。
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公开(公告)号：CN104854443A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380056723.7
申请日：2013-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/552 , G01N21/77
CPC classification number: G01N21/552 , G01N21/648 , G01N21/7703 , G01N21/7746
Abstract: 本公开的一些实施例涉及具有实现在单个硅集成芯片上的硅波导的红外（IR）光电传感器。IR传感器具有半导体衬底，所述半导体衬底具有沿着辐射输入导管与辐射输出导管之间的长度延伸的硅波导。辐射输入导管将辐射耦合到硅波导中，而辐射输出导管将辐射从硅波导耦合出。硅波导以单模将IR辐射从辐射输入导管运送到辐射输出导管。当辐射由硅波导运送时，形成从硅波导向外延伸以与定位在辐射输入导管与辐射输出导管之间的样品相互作用的渐逝场。
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公开(公告)号：CN107539942B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201710514304.3
申请日：2017-06-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及微机械结构和用于制造微机械结构的方法。根据各种实施例的微机械结构可包括：衬底；和功能结构，布置在衬底处；其中所述功能结构包括功能区域，所述功能区域可响应于作用于功能区域的力而相对于衬底偏转；以及其中功能区域的至少一部分具有处于从大约5 GPa到大约70 GPa的范围中的弹性模量。
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公开(公告)号：CN107473176A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710427401.9
申请日：2017-06-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00404 , B81B7/008 , B81B7/02 , B81B2207/03 , B81C2201/0198
Abstract: 本发明涉及微机电器件和制作微机电器件的方法。一种制作微机电部件的方法，该方法包括：在层之上形成掩模，该掩模包括结构化表面；将掩模的包括结构化表面的区域加热到掩模的玻璃转变温度以上，以使结构化表面的边缘平滑从而形成波状表面；对被掩模覆盖的层进行刻蚀，所述刻蚀去除掩模以将掩模的波状表面传递到层中并且形成该层的波状表面；在层之上形成隔膜，以形成隔膜的被配置为致动的波状区域；以及形成导电部件，该导电部件被配置为以下中至少之一：响应于传输到导电部件的电信号而提供用于致动隔膜的力，以及响应于隔膜的致动而提供电信号。
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公开(公告)号：CN103426721B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310197256.1
申请日：2013-05-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/32
CPC classification number: H01L21/30608 , B81C1/00619 , B81C2201/0125 , H04R19/005
Abstract: 用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法。用于在第一主表面处加工具有微机电系统结构的晶片的方法包括在第二主表面处施加掩蔽材料并且构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成多个凹进。至少在其中一些掩蔽区域处，所述掩蔽材料然后被去除以得到预先掩蔽区域。所述方法进一步包括在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以在预先掩蔽区域处增加凹进的深度和减小晶片的厚度。
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