公开(公告)号：CN112103235A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010558889.0

申请日：2020-06-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.J.桑托斯罗德里格斯 ,  P.伊尔西格勒

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/428 ,  H01L21/268

Abstract: 用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构。提供用于处理具有半导体器件层的衬底组件的方法。方法可包括步骤：在衬底组件处布置辅助载体，使得辅助载体的连接表面和衬底组件的第一表面至少在一些位置处彼此直接邻接；通过熔化辅助载体的载体部分和直接邻接辅助载体的载体部分的衬底组件的衬底部分使得辅助载体和衬底组件仅在辅助载体和衬底组件的熔合部分中局部地熔合而将辅助载体固定地附接到衬底组件；以及处理衬底组件的半导体器件层，辅助载体固定地附接到衬底组件；其中熔合部分覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。

公开(公告)号：CN104854443A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380056723.7

申请日：2013-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B.雅科比 ,  V.M.拉夫奇夫 ,  T.格里勒 ,  P.伊尔西格勒 ,  S.斯古里迪斯 ,  U.黑德尼希 ,  T.奥斯特曼

IPC: G01N21/552 ,  G01N21/77

CPC classification number: G01N21/552 ,  G01N21/648 ,  G01N21/7703 ,  G01N21/7746

Abstract: 本公开的一些实施例涉及具有实现在单个硅集成芯片上的硅波导的红外（IR）光电传感器。IR传感器具有半导体衬底，所述半导体衬底具有沿着辐射输入导管与辐射输出导管之间的长度延伸的硅波导。辐射输入导管将辐射耦合到硅波导中，而辐射输出导管将辐射从硅波导耦合出。硅波导以单模将IR辐射从辐射输入导管运送到辐射输出导管。当辐射由硅波导运送时，形成从硅波导向外延伸以与定位在辐射输入导管与辐射输出导管之间的样品相互作用的渐逝场。

公开(公告)号：CN105277492B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201510321616.3

申请日：2015-06-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.格里勒 ,  U.黑德尼希 ,  P.伊尔西格勒 ,  B.雅科比 ,  V.M.拉夫切夫 ,  T.奈德哈特 ,  T.奥斯特曼

IPC: G01N21/31

Abstract: 本发明涉及使用环形谐振器传感器的液体感测系统和方法。公开了一种具有多通道相互作用区的传感器系统。系统包括输入区、多通道区和输出区。输入区被配置成接收所发射的光。多通道区耦合到输入区并且被配置成根据接近多通道区的样品吸收所发射的光的部分。输出区耦合到多通道区并且被配置成提供来自多通道区的经相互作用的光。

公开(公告)号：CN104716168B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410754510.8

申请日：2014-12-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴布尔斯克 ,  H.许斯肯 ,  P.伊尔西格勒 ,  J.G.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及带有复合区的半导体器件。半导体器件包含在半导体主体中在漂移区带和电荷载流子传输区之间的pn结。存取沟道提供持久电荷载流子路径，所述持久电荷载流子路径通过在漂移区带和复合区之间的分离区将漂移区带和复合区连接。存取沟道调节在漂移区带和复合区中的等离子体密度。

公开(公告)号：CN103633063A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310363695.5

申请日：2013-08-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P.伊尔西格勒 ,  H-P.朗 ,  A.迈泽尔 ,  T.迈耶 ,  M.聪德尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0694 ,  H01L21/02 ,  H01L21/743 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/48 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。

公开(公告)号：CN107393877B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201710321166.7

申请日：2017-05-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O.黑尔蒙德 ,  P.伊尔西格勒 ,  S.施密特 ,  H-J.舒尔策 ,  M.赛德-施密特

IPC: H01L23/13 ,  H01L27/04 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及制造包括支撑元件的半导体装置的方法和包括支撑元件的半导体装置。一种半导体装置(1)在半导体衬底部分(102)中包括功率晶体管(200)。半导体衬底部分(102)包括中心部分(135)和切口(140)，功率晶体管(200)的部件被布置在中心部分(135)中，中心部分(135)具有厚度d。半导体装置(1)还包括：支撑元件(352)，沿水平方向延伸并且设置在中心部分(135)的主表面(110、120)上方。支撑元件(352)在与半导体衬底部分(102)的主表面(110、120)相邻的一侧具有宽度t并且具有高度h，其中垂直于支撑元件的延伸方向测量t，其中0.1xh≤d≤4xh并且0.1xh≤t≤1.5xh。

公开(公告)号：CN105336764A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510469712.2

申请日：2015-08-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U.格拉泽 ,  P.伊尔西格勒 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0603

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造方法。半导体器件包括从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。三元碳化物和三元氮化物的至少一个在沟槽中。

公开(公告)号：CN105277492A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510321616.3

申请日：2015-06-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.格里勒 ,  U.黑德尼希 ,  P.伊尔西格勒 ,  B.雅科比 ,  V.M.拉夫切夫 ,  T.奈德哈特 ,  T.奥斯特曼

IPC: G01N21/31

CPC classification number: G02B6/102 ,  G01N21/552 ,  G01N21/59 ,  G01N21/7746 ,  G01N2021/7783 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/29338

Abstract: 本发明涉及使用环形谐振器传感器的液体感测系统和方法。公开了一种具有多通道相互作用区的传感器系统。系统包括输入区、多通道区和输出区。输入区被配置成接收所发射的光。多通道区耦合到输入区并且被配置成根据接近多通道区的样品吸收所发射的光的部分。输出区耦合到多通道区并且被配置成提供来自多通道区的经相互作用的光。

公开(公告)号：CN104716168A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410754510.8

申请日：2014-12-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴布尔斯克 ,  H.许斯肯 ,  P.伊尔西格勒 ,  J.G.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及带有复合区的半导体器件。半导体器件包含在半导体主体中在漂移区带和电荷载流子传输区之间的pn结。存取沟道提供持久电荷载流子路径，所述持久电荷载流子路径通过在漂移区带和复合区之间的分离区将漂移区带和复合区连接。存取沟道调节在漂移区带和复合区中的等离子体密度。

公开(公告)号：CN107403779B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710357144.6

申请日：2017-05-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O.黑尔蒙德 ,  P.伊尔西格勒 ,  S.施密特 ,  M.赛德-施密特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种接合垫结构包括覆于衬底上面的第一氧化物层。多个粘合结构被形成在第一氧化物层上方。第二氧化物层被形成在所述多个粘合结构和第一氧化物层上方。形成在第二氧化物层的表面区域内的多个接触器开口中的每个接触器开口包括一侧或多侧并且在所述多个粘合结构中的对应粘合结构的顶表面的至少一部分上方对准。在表面区域内形成阻挡层，该阻挡层在第二氧化物层上方并且在所述多个接触器开口内并且在所述多个粘合结构中的对应粘合结构的顶表面的至少一部分上方。金属层被形成在阻挡层上方。