具有硅电极的微型器件转移头部

    公开(公告)号:CN107265400B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201710308883.6

    申请日:2013-05-16

    Applicant: 苹果公司

    Abstract: 本发明描述了微型器件转移头部阵列和从SOI衬底形成微型器件转移头部阵列的方法。在一个实施例中,微型器件转移头部阵列包括基础衬底和位于基础衬底上方的图案化硅层。图案化硅层可包括硅互连和与硅互连电连接的硅电极阵列。每个硅电极包括在硅互连上方突起的台面结构。电介质层覆盖每个台面结构的顶表面。

    具有硅电极的微型器件转移头部

    公开(公告)号:CN107265400A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710308883.6

    申请日:2013-05-16

    Applicant: 苹果公司

    Abstract: 本发明描述了微型器件转移头部阵列和从SOI衬底形成微型器件转移头部阵列的方法。在一个实施例中,微型器件转移头部阵列包括基础衬底和位于基础衬底上方的图案化硅层。图案化硅层可包括硅互连和与硅互连电连接的硅电极阵列。每个硅电极包括在硅互连上方突起的台面结构。电介质层覆盖每个台面结构的顶表面。

    具有硅电极的顺应性双极微型器件转移头

    公开(公告)号:CN104471698B

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201380035955.4

    申请日:2013-06-27

    Applicant: 苹果公司

    CPC classification number: B81C99/002

    Abstract: 本发明描述了一种顺应性双极微型器件转移头阵列以及由SOI衬底形成顺应性双极微型器件转移阵列的方法。在一个实施例中,顺应性双极微型器件转移头阵列包括基础衬底和在基础衬底上方的图案化硅层。图案化硅层可包括第一硅互连件和第二硅互连件以及与第一硅互连件和第二硅互连件电连接且能够偏转到位于基础衬底和硅电极之间的一个或多个空腔内的第一硅电极阵列和第二硅电极阵列。

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