公开(公告)号：TWI693294B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW105116389

申请日：2016-05-26

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 薩尼特 蒂納 ,  SARNET, TIINA ,  哈坦帕 堤摩 ,  HATANPAA, TIMO ,  里塔拉 邁可 ,  RITALA, MIKKO ,  雷凱拉 馬克 ,  LESKELA, MARKKU

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C07C49/92

公开(公告)号：TW201641733A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105116389

申请日：2016-05-26

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 薩尼特 蒂納 ,  SARNET, TIINA ,  哈坦帕 堤摩 ,  HATANPAA, TIMO ,  里塔拉 邁可 ,  RITALA, MIKKO ,  雷凱拉 馬克 ,  LESKELA, MARKKU

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C07C49/92

CPC classification number: C23C16/305 ,  C01G39/06 ,  C01P2004/03 ,  C23C16/45553 ,  G01N30/72 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262

Abstract: 本發明提供形成含Mo及W的薄膜之製程，所述薄膜諸如MoS2 、WS2 、MoSe2 及WSe2 薄膜。亦提供合成Mo或W β-二酮前驅物之方法。另外，提供形成含Mo或W的2D材料之方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成含Mo及W的薄膜之制程，所述薄膜诸如MoS2 、WS2 、MoSe2 及WSe2 薄膜。亦提供合成Mo或W β-二酮前驱物之方法。另外，提供形成含Mo或W的2D材料之方法。