公开(公告)号：TW201832020A

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW107119466

申请日：2017-02-21

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 泰爾溫 提波 ,  TEL,WIM TJIBBO ,  史達爾法蘭克 ,  STAALS,FRANK ,  莫斯羅馬克 約翰 ,  MASLOW,MARK JOHN ,  亞蘭希亞多羅伊 ,  ANUNCIADO,ROY ,  喬錢森馬利那 ,  JOCHEMSEN,MARINUS ,  克瑞馬雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 ,  CRAMER,HUGO AUGUSTINUS JOSEPH ,  休威斯湯馬士 ,  THEEUWES,THOMAS ,  希尼保羅 克利絲丁安 ,  HINNEN,PAUL CHRISTIAAN

IPC: G03F7/20

Abstract: 本發明提供一種方法，其包括：藉由將關於藉由一圖案化程序處理之一基板之一圖案之一第一變數的一指紋與該第一變數之某一值組合來計算該基板或用於該基板之該第一變數之一值；及至少部分地基於該第一變數之該所計算值來判定該圖案之一第二變數之一值。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种方法，其包括：借由将关于借由一图案化进程处理之一基板之一图案之一第一变量的一指纹与该第一变量之某一值组合来计算该基板或用于该基板之该第一变量之一值；及至少部分地基于该第一变量之该所计算值来判定该图案之一第二变量之一值。

公开(公告)号：TW201921274A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107147685

申请日：2017-08-18

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 泰爾溫 提波 ,  TEL,WIM TJIBBO ,  莫斯羅馬克 約翰 ,  MASLOW,MARK JOHN ,  史達爾法蘭克 ,  STAALS,FRANK ,  希尼保羅 克利絲丁安 ,  HINNEN,PAUL CHRISTIAAN

IPC: G06F17/50

Abstract: 一種方法，其涉及判定在一基板已由一或多個製程裝置根據一圖案化製程處理之後該一或多個製程裝置對該基板之一特性作出的一貢獻，該判定該貢獻係藉由自該基板之該特性之值移除一微影裝置對該特性之一貢獻及一或多個微影前製程裝置對該特性之一貢獻來完成。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法，其涉及判定在一基板已由一或多个制程设备根据一图案化制程处理之后该一或多个制程设备对该基板之一特性作出的一贡献，该判定该贡献系借由自该基板之该特性之值移除一微影设备对该特性之一贡献及一或多个微影前制程设备对该特性之一贡献来完成。

公开(公告)号：TWI691813B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：TW107140119

申请日：2017-07-11

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 泰爾溫 提波 ,  TEL,WIM TJIBBO ,  史達爾法蘭克 ,  STAALS,FRANK ,  戴 尼偉利馬丁 裘力 瑪里-愛米 ,  DE NIVELLE,MARTIN JULES MARIE-EMILE ,  哈珊添伯爾 ,  HASAN,TANBIR

IPC: G03F9/00

公开(公告)号：TW201907246A

公开(公告)日：2019-02-16

申请号：TW107140119

申请日：2017-07-11

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 泰爾溫 提波 ,  TEL,WIM TJIBBO ,  史達爾法蘭克 ,  STAALS,FRANK ,  戴 尼偉利馬丁 裘力 瑪里-愛米 ,  DE NIVELLE,MARTIN JULES MARIE-EMILE ,  哈珊添伯爾 ,  HASAN,TANBIR

IPC: G03F9/00

Abstract: 本發明揭示一種判定橫跨已施加有一或多個圖案的一基板之構形變化之方法。該方法包括：獲得表示橫跨已藉由一微影製程而施加有一或多個圖案的一基板之一構形變化之經測量構形資料；及組合該經測量構形資料與關於晶粒內拓樸之知識以獲得經導出構形資料，該經導出構形資料具有大於該經測量構形資料之解析度的一解析度。亦揭示一種對應位階感測器設備及包含此類位階感測器設備之微影設備；及一種自橫跨該基板之一物理參數之變化的第一測量資料以及晶粒內測量資料判定該物理參數之變化且組合此等第一測量資料與晶粒內測量資料的更一般方法，該晶粒內測量資料相比於該第一測量資料具有較高解析度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种判定横跨已施加有一或多个图案的一基板之构形变化之方法。该方法包括：获得表示横跨已借由一微影制程而施加有一或多个图案的一基板之一构形变化之经测量构形数据；及组合该经测量构形数据与关于晶粒内拓朴之知识以获得经导出构形数据，该经导出构形数据具有大于该经测量构形数据之分辨率的一分辨率。亦揭示一种对应位阶传感器设备及包含此类位阶传感器设备之微影设备；及一种自横跨该基板之一物理参数之变化的第一测量数据以及晶粒内测量数据判定该物理参数之变化且组合此等第一测量数据与晶粒内测量数据的更一般方法，该晶粒内测量数据相比于该第一测量数据具有较高分辨率。

公开(公告)号：TWI668524B

公开(公告)日：2019-08-11

申请号：TW107119466

申请日：2017-02-21

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 泰爾溫 提波 ,  TEL,WIM TJIBBO ,  史達爾法蘭克 ,  STAALS,FRANK ,  莫斯羅馬克 約翰 ,  MASLOW,MARK JOHN ,  亞蘭希亞多羅伊 ,  ANUNCIADO,ROY ,  喬錢森馬利那 ,  JOCHEMSEN,MARINUS ,  克瑞馬雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 ,  CRAMER,HUGO AUGUSTINUS JOSEPH ,  休威斯湯馬士 ,  THEEUWES,THOMAS ,  希尼保羅 克利絲丁安 ,  HINNEN,PAUL CHRISTIAAN

IPC: G03F7/20

公开(公告)号：TW201921178A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107130948

申请日：2014-11-07

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 希可利哈奇 爾金 ,  CEKLI,HAKKI ERGUN ,  柳星蘭 ,  LIU,XING LAN ,  史拉特伯恩唐恩 毛瑞斯 ,  SLOTBOOM,DAAN MAURITS ,  泰爾溫 提波 ,  TEL,WIM TJIBBO ,  凡 德 山登史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 ,  VAN DER SANDEN,STEFAN CORNELIS THEODORUS ,  凡 哈倫理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 ,  VAN HAREN,RICHARD JOHANNES FRANCISCUS

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一種微影裝置(LA)，其將一圖案重複性地施加至橫越一基板(W)之目標部分(場，C)。在施加該圖案之前，一對準感測器(AS)量測該基板之平面中之標記之位置，且一位階感測器(LS)量測在垂直於該基板之該平面之一方向上之高度偏差。該裝置將該圖案施加至該基板，同時(a)使用由該對準感測器量測之該等位置來定位該經施加圖案，及(b)使用由該位階感測器量測之該等高度偏差來聚焦該圖案。該裝置經進一步配置(c)以基於該等測定高度偏差之導數而計算及應用該經施加圖案之該定位之校正。可基於場內及/或場間來計算該等校正。該等校正可基於該等所觀測之高度偏差與先前在該同一基板上所量測之高度偏差之間的改變。

Abstract in simplified Chinese: 一种微影设备(LA)，其将一图案重复性地施加至横越一基板(W)之目标部分(场，C)。在施加该图案之前，一对准传感器(AS)量测该基板之平面中之标记之位置，且一位阶传感器(LS)量测在垂直于该基板之该平面之一方向上之高度偏差。该设备将该图案施加至该基板，同时(a)使用由该对准传感器量测之该等位置来定位该经施加图案，及(b)使用由该位阶传感器量测之该等高度偏差来聚焦该图案。该设备经进一步配置(c)以基于该等测定高度偏差之导数而计算及应用该经施加图案之该定位之校正。可基于场内及/或场间来计算该等校正。该等校正可基于该等所观测之高度偏差与先前在该同一基板上所量测之高度偏差之间的改变。