一种线性高压斜坡信号产生电路及信号产生方法

    公开(公告)号:CN118282359A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410367812.3

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本发明涉及一种线性高压斜坡信号产生电路及信号产生方法,属于扫描电路偏转技术领域,解决现有扫描电路电压斜坡信号产生电路存在的结构复杂、产生的斜坡信号线性差的技术问题。其信号产生电路包括高压斜坡发生器D1、斜坡线性调节器D2、扫描时间控制器D3、高压电源芯片和供电模块,高压斜坡发生器D1分别与斜坡线性调节器D2、扫描时间控制器D3连通,高压电源芯片给高压斜坡发生器D1提供电压。其信号产生方法使用信号产生电路,包括:信号产生电路的结构构成和连通,负载Rload连通、打开选择开关、调节可调电阻R3阻值得到线性高压斜坡信号的步骤。可以用于条纹相机扫描电路。

    一种基于契伦科夫效应的射线图像屏

    公开(公告)号:CN114496340A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210072627.2

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本发明提供一种基于契伦科夫效应的射线图像屏,为能量卡阈的超快射线成像技术提供一种方案,该方案通过优化转换靶和光导阵列,解决基于契伦科夫效应成像的探测效率、和空间分辨相互兼顾的问题。本发明提供的基于契伦科夫效应的射线图像屏包括转换靶和光导阵列;转换靶设置在光导阵列的入光侧,且与光导阵列的距离在2mm以内;光导阵列具有高透明度和光导传像功能,主要由多个光导排列组成,光导采用高光学透明度的耐辐照光学材料制作,各光导之间涂黑加防串扰层;光导的芯径为0.5~1mm。

    一种折变式脉冲辐射探测器及其产生高幅值信号的方法

    公开(公告)号:CN119986753A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510225234.4

    申请日:2025-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种折变式脉冲辐射探测器及其产生高幅值信号的方法,解决了现有的折变式脉冲辐射探测器难以同时实现高本征分辨率和提高光信号幅值的技术问题;包括n通道激光器发射n路探针光,还包括n个传感器结构、n个延时调节器、光纤合束器、光电探测器,n个传感器结构的输入端分别通过光纤连接n通道激光器的输出端,用于将n路探针光转变n束干涉光,并对干涉光进行扰动;n个延时调节器分别连接n个传感器结构,光纤合束器的输入端通过光纤连接n个延时调节器的输出端;光电探测器连接光纤合束器的输出端。通过干涉信号叠加的方式,在保持高本征时间分辨同时,提高折变式脉冲辐射探测器的幅值响应。

    一种脉冲射线激励下获得闪烁体相对光产额的方法

    公开(公告)号:CN120065297A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510249945.5

    申请日:2025-03-04

    Inventor: 彭博栋 袁媛 张美

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲射线激励下获得闪烁体相对光产额的方法,解决了对于发光产额较低的材料,用直流射线激发无法得到有效信号,进而无法获得发光产额的实际值的技术问题;本发明用脉冲射线源产生瞬时高强度的射线激发低发光产额的闪烁体,利用比较法定量或半定量的获得它发光产额的大概值,本发明方法,可以比较多种低发光产额闪烁体的相对发光,对于获得发光机理、分析发光影响因素具有参考作用。

    一种基于联合约束的压缩成像系统和方法

    公开(公告)号:CN118018875A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410165085.2

    申请日:2024-02-05

    Abstract: 本发明提供了一种基于联合约束的压缩成像系统,属于计算成像技术领域,其包括第一分光镜、第一镜头、透射式编码板、宽狭缝条纹相机、第二分光镜、第二镜头、窄狭缝条纹相机、反射镜、第三镜头、ICMOS相机、动态光源、动态光源控制器、脉冲信号发生器和光学暗箱。还提供了一种基于联合约束的压缩成像方法,包括采集光学分辨卡图像、采集静态编码板图像、宽狭缝条纹相机与窄狭缝条纹相机时间关系标定、采集动态压缩编码图像和约束图像、基于压缩感知算法重建二维时间序列图像的过程。该发明压缩成像系统,可同时获取同一动态光源的动态压缩编码图像、一维强度随时间变化图像和二维强度时间积分图像。

    一种超快多幅二维图像探测方法及装置

    公开(公告)号:CN112945205B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202110116156.6

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明属于图像探测技术领域,提供了一种超快多幅二维图像探测方法及装置,解决了利用图像转换结构和条纹相机组合实现二维图像探测时获取图像的有效像素数量受限问题,条纹管通过第一图像耦合结构接收输入图像,通过第二图像耦合结构输出图像到相机并被记录,本发明增设了图像转换结构和条纹管控制电路,二维图像经图像转换结构接收并重新排列为n排一维图像输出,条纹管控制电路控制条纹管对n排一维图像进行选通和扫描控制,n排一维图像在特定时间内的连续序列图像从条纹管输出,条纹管输出图像被相机记录并上传到计算机,计算机记录的图像按图像转换结构的二维和一维图像的各像素一一对应关系进行还原,得到特定时间内的连续多幅二维图像序列。

    平面金属薄膜负载装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104202903B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201410457940.3

    申请日:2014-09-10

    Abstract: 本发明提供一种平面金属薄膜负载装置,包括负载、负载阴极及负载阳极,负载为平面金属薄膜,平面金属薄膜呈拉直状态,一端与负载阴极电连接,另一端与负载阳极电连接;负载装置还包括位于负载阴极和负载阳极之间的回流装置,回流装置包括回流柱底座及两个回流柱,两个回流柱对称设置在平面金属薄膜的两侧且与平面金属薄膜之间的距离可调,回流柱的一端与负载阳极电接触,回流柱的另一端与回流柱底座电连接,回流柱底座与负载阴极电连接。本发明可以研究负载平面两侧存在受力时,不稳定性的发展情况。相关研究结果可以应用于分析MagLIF套筒靶在致稳磁场作用下不稳定性发展情况。

    利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置

    公开(公告)号:CN105157856A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510454344.4

    申请日:2015-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置,用于解决现有测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置测量效率低的技术问题。技术方案是包括可调谐激光器、单模光纤、光纤环行器、半导体晶片、高带宽光电探测器和示波器。可调谐激光器输出激光经单模光纤导引到光纤环行器,光纤环行器的输出口2将激光传输到半导体晶体表面,光纤环行器的输出口3通过长距离单模光纤与高带宽光电探测器输入口相连,高带宽光电探测器输出口接示波器。本发明使用300微米厚的半导体晶片做探测介质,提高了MeV核辐射脉冲的沉积效率,并使装置输出有效信号,提高了背景技术装置进行MeV核辐射脉冲探测时的效率。

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