公开(公告)号：CN116406150A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310338228.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 吴撼宇 ,  魏浩 ,  姚伟博 ,  来定国 ,  王嘉琛 ,  杨森 ,  楼成

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供了一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，用于解决现有的高压绝缘堆栈三相点电场屏蔽结构附近易于积聚气泡，导致高压绝缘堆栈的液体绝缘介质一侧沿面闪络或击穿的技术问题。本发明中在三相点电场屏蔽结构的第二环形半圆凸起上靠近绝缘环一侧且连接第一支撑电极的位置同轴开设有环形的排气槽；排气槽由下至上斜向开设，且其槽宽小于第二环形半圆凸起的截面半径；第一支撑电极上端面上对应第一环形半圆凸起外侧的位置周向开设有与排气槽连通的多个排气孔；排气槽和排气孔的设置可以在排气槽的设置不影响电场屏蔽效果的基础上，尽可能多的排出气泡。

公开(公告)号：CN115863125B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202211351818.9

申请日：2022-10-31

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 魏浩 ,  刘文元 ,  吴撼宇 ,  姜晓峰 ,  姚伟博 ,  杨森 ,  邱爱慈

IPC: H01J21/04 ,  H01J19/54

Abstract: 本发明提供了一种一体化高压真空绝缘堆栈，用以解决现有层叠型高压真空绝缘堆栈存在的结构复杂、密封环节多、装配难度大的技术问题。本发明提供的一种一体化高压真空绝缘堆栈，包括同轴设置的一体化绝缘筒、多个金属均压环以及两个环形的支撑电极；一体化绝缘筒为中空柱状结构；两个支撑电极分别密封连接于一体化绝缘筒的两端；多个金属均压环沿轴向依次设置在一体化绝缘筒外壁上；所述金属均压环外侧壁悬浮在一体化绝缘筒外侧，其内侧壁嵌入一体化绝缘筒内。

公开(公告)号：CN116274025A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310343054.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 吴撼宇 ,  楼成 ,  杨森 ,  来定国 ,  徐启福 ,  魏浩

IPC: B08B1/00 ,  B08B1/02 ,  B08B3/08 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明的提供了一种绝缘环斜面的清洗装置及清洗方法，用于解决目前人工清洗绝缘环存在的效率不高、清理不干净以及容易损坏绝缘环斜面导致绝缘安全隐患的技术问题。本发明的清洗装置包括底座、旋转模块、清洗移动模块以及控制模块；旋转模块包括固定支架、旋转盘以及第一电机；旋转盘用于圆周固定待清洗绝缘环；清洗移动模块包括清洗结构、第一导向结构、连接结构以及第二导向结构；通过第一导向结构和第二导向结构的导向移动，配合旋转盘的自动旋转可以使刷头与待清洗绝缘环的每个斜面都能紧密接触；再利用第一电机和第二电机高速旋转地特性可快速有效的清理待清洗绝缘环斜面上粉尘和微放电痕迹。

公开(公告)号：CN115863125A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211351818.9

申请日：2022-10-31

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 魏浩 ,  刘文元 ,  吴撼宇 ,  姜晓峰 ,  姚伟博 ,  杨森 ,  邱爱慈

IPC: H01J21/04 ,  H01J19/54

Abstract: 本发明提供了一种一体化高压真空绝缘堆栈，用以解决现有层叠型高压真空绝缘堆栈存在的结构复杂、密封环节多、装配难度大的技术问题。本发明提供的一种一体化高压真空绝缘堆栈，包括同轴设置的一体化绝缘筒、多个金属均压环以及两个环形的支撑电极；一体化绝缘筒为中空柱状结构；两个支撑电极分别密封连接于一体化绝缘筒的两端；多个金属均压环沿轴向依次设置在一体化绝缘筒外壁上；所述金属均压环外侧壁悬浮在一体化绝缘筒外侧，其内侧壁嵌入一体化绝缘筒内。

公开(公告)号：CN116487237A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310370518.3

申请日：2023-04-07

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 吴撼宇 ,  魏浩 ,  王嘉琛 ,  刘文元 ,  姚伟博 ,  楼成 ,  杨森

IPC: H01J19/54 ,  H01J19/32 ,  H01J21/00 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明提供了一种降低阳极三结合点电场强度的绝缘堆栈及其制备方法，用于解决现有的一体化高压真空绝缘堆栈阳极三结合点的电场强度过大，导致绝缘堆栈容易发生闪络或被击穿的技术问题。本发明的绝缘堆栈中金属均压环内侧同轴周向设置有环形的第一屏蔽结构；第一屏蔽结构包括高于金属均压环上端面的第一环形凸起，以及设置在第一环形凸起下端面的第二环形凸起；第一环形凸起延伸出第二环形凸起侧壁的底面和与其连接的第二凸起侧壁之间形成夹角θ，用于使第一环形凸起与第二环形凸起靠近相应三角斜槽的一端形成电场屏蔽功能，以降低相应阳极三结合点的电场强度。

公开(公告)号：CN115828568A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211497495.4

申请日：2022-11-25

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 魏浩 ,  李鹏超 ,  姚伟博 ,  杨耀荣 ,  吴撼宇 ,  杨森 ,  邱爱慈

IPC: G06F30/20 ,  G01R31/12 ,  G06F30/10 ,  G06F17/18 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明提供的一种高压绝缘堆栈绝缘环串联级数的优化确定方法，用于解决大型Z箍缩装置中绝缘堆栈绝缘环串联级数优化的技术难题。本方法包括：给定绝缘环周长、绝缘堆栈总高度、单片均压环厚度、绝缘堆栈工作电压及绝缘材料统计学闪络常数；建立基于简化统计学模型的绝缘堆栈全堆闪络概率计算模型；根据简化统计学模型的绝缘堆栈全堆闪络概率计算公式，计算绝缘环串联级数n为不同值时绝缘堆栈的闪络概率，进而获得其随平均电场强度的变化曲线；计算不同串联级数下绝缘堆栈的平均电场强度，结合获得的绝缘环串联级数n为不同值时绝缘堆栈的全堆闪络概率随平均电场强度的变化曲线，确定使绝缘堆栈闪络概率最低的绝缘环串联级数。