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公开(公告)号：CN119943629A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311441213.3
申请日：2023-11-01
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及同轴反射三极管及其装配方法，具体涉及一种串级同轴虚阴极反射三极管阵列及其装配方法，解决了平面型反射三极管的脉冲硬X射线利用效率较低、应用存在局限性、难以实现串联，或者同轴型反射三极管的结构复杂、脉冲硬X射线利用效率较低的技术问题。本发明在同轴型反射三极管的基础上去掉内侧阴极，在工作过程中，穿过阳极箔的电子在阳极内侧形成虚阴极；通过安装在阳极基座上的阳极箔与悬浮电极上的圆孔，以及安装在悬浮电极上的阳极箔和接地阴极上的圆孔构成两级串联的三极管阵列；采用阵列布置可调整辐射场分布，提高脉冲硬X射线的利用效率；通过串联工作，可应用于大型高电压脉冲源，进一步提高脉冲硬X射线的辐射强度。
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公开(公告)号：CN113109675B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110390623.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供一种用于绝缘堆栈真空沿面闪络的图像诊断装置及方法，解决现有光学成像技术难以运用到绝缘堆栈环形目标空间内脉冲放电图像诊断的问题。该装置包括光学支架、法兰筒、光学探头、相机、控制显示单元、光电探测器以及示波器；光学支架沿径向开设圆周均布N个图像诊断孔和与图像诊断孔相邻的Q个光脉冲测量孔，2≤N≤48，2≤Q≤4；法兰筒与光学支架同轴固连，法兰筒外圆面设有环状支撑架；光学探头为M个，M＝N+Q，M个光学探头分别穿设在N个图像诊断孔和Q个光脉冲光测量孔内；N个图像诊断孔上N个光学探头与相机连接，相机与控制显示单元相连；Q个光脉冲测量孔上Q个光学探头与光电探测器连接，光电探测器与示波器相连。
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公开(公告)号：CN116406150A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310338228.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，用于解决现有的高压绝缘堆栈三相点电场屏蔽结构附近易于积聚气泡，导致高压绝缘堆栈的液体绝缘介质一侧沿面闪络或击穿的技术问题。本发明中在三相点电场屏蔽结构的第二环形半圆凸起上靠近绝缘环一侧且连接第一支撑电极的位置同轴开设有环形的排气槽；排气槽由下至上斜向开设，且其槽宽小于第二环形半圆凸起的截面半径；第一支撑电极上端面上对应第一环形半圆凸起外侧的位置周向开设有与排气槽连通的多个排气孔；排气槽和排气孔的设置可以在排气槽的设置不影响电场屏蔽效果的基础上，尽可能多的排出气泡。
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公开(公告)号：CN106556725A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610936821.5
申请日：2016-11-01
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R15/00
CPC classification number: G01R15/00
Abstract: 本发明涉及一种用于X箍缩负载电流的同轴式分流器，包括金属屏蔽壳体、镍电阻及电缆接头，镍电阻位于金属屏蔽壳体内，并与金属屏蔽壳体同轴设置；镍电阻包括镍膜、圆柱形绝缘骨架、电极一及电极二，镍膜包覆在圆柱形绝缘骨架的外表面，电极一与电极二位于圆柱形绝缘骨架的两端并与镍膜电连接，金属屏蔽壳体与电极二连接，电缆接头的芯线与电极二连接，电缆接头的接地端与屏蔽壳体电连接；同轴式分流器位于阳极板的上方，电极一与X箍缩负载的电极连接，X箍缩负载的电极与阳极板之间通过绝缘体绝缘，金属屏蔽壳体与阳极板电连接。本发明避免了利用Rogowski线圈测量电流时遇到的系数标定等相关问题，且具有制作成本低、结构紧凑、重复利用效率高的优点。
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公开(公告)号：CN114966337B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210532659.6
申请日：2022-05-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高功率脉冲放电等离子体特征光谱的识别方法，具体涉及一种高功率脉冲放电等离子体特征光谱比对识别方法,解决现有高功率脉冲放电等离子体在光谱诊断分析研究中，难以快速并准确获取特征谱线参数的技术问题。本发明提供的一种高功率脉冲放电等离子体特征光谱比对识别方法，通过数值模拟特征光谱对比实验获取的特征光谱，有效提高了谱线参数比对和识别的准确性，尤其是特征谱线对应的电离态信息。对以通过光谱诊断方法开展高功率脉冲放电等离子体参数分析和研究具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116405009A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211535189.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种产生脉冲大电流的多路LTD并联装置，用于解决现有脉冲大电流产生装置能量传输效率低、单层均布LTD脉冲源无法驱动两层以上高压绝缘堆栈、同轴输出线与绝缘堆栈过渡转换结构复杂以及检修不便等技术问题。本发明的多路LTD并联装置，采用阻抗匹配的同轴输出线和水平三板传输线实现多路电脉冲传输，LTD次级传输线、同轴输出线以及水平三板传输线均采用去离子水绝缘，通过中央汇聚水池内水平三板传输线的交错设置，在LTD脉冲源单层圆周辐射状布局情况下，可以驱动双层或四层结构的多层高压绝缘堆栈；再通过多层高压绝缘堆栈真空侧的圆盘锥真空磁绝缘传输线将脉冲大电流传输汇聚至物理负载上。
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公开(公告)号：CN114121427A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111270643.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于重力压差的两级真空注油系统及其使用方法，用于解决传统感应腔单级注油方法的气泡产生问题。本发明中，中转油箱通过第一管路与第一机械真空泵联通，且中转油箱的底部通过第二管路与三通有机玻璃的第一端口连通；储油罐通过第三管路与三通有机玻璃管的第二端口连通；感应腔通过第四管路与第二机械真空泵联通，且感应腔底部通过第五管路与三通有机玻璃管的第三端口连通。本发明提出的一种基于重力压差的两级真空注油系统，比传统的单级注油系统，其优势在于能够显著抑制注油过程中的气泡产生现象，有利于装置的正常运行，同时大幅提高注油系统的可视性、集成性和可操作性。
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公开(公告)号：CN108601197A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810497433.0
申请日：2018-05-22
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供了一种兆安级电流下金属丝阵早期物理状态的调控方法，在不更改脉冲驱动源参数和馈入预脉冲的前提下，仅通过改进负载结构调控金属丝阵的早期物理状态，进而便于深入研究其对内爆动力学和等离子体不稳定性发展过程的影响。本发明在仅有一个电流回路的传统典型丝阵结构的基础上，在Z箍缩实验用装置高压输出端增加反转型丝阵连接其阴、阳极，形成具有两个独立电流回路的二级丝阵结构；通过选取所述反转型丝阵和/或传统典型丝阵结构中负载丝阵的参数，即可实现金属丝阵早期物理状态的调控；所述参数包括丝阵的金属丝长度、直径、线质量和根数。
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公开(公告)号：CN115863125B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202211351818.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种一体化高压真空绝缘堆栈，用以解决现有层叠型高压真空绝缘堆栈存在的结构复杂、密封环节多、装配难度大的技术问题。本发明提供的一种一体化高压真空绝缘堆栈，包括同轴设置的一体化绝缘筒、多个金属均压环以及两个环形的支撑电极；一体化绝缘筒为中空柱状结构；两个支撑电极分别密封连接于一体化绝缘筒的两端；多个金属均压环沿轴向依次设置在一体化绝缘筒外壁上；所述金属均压环外侧壁悬浮在一体化绝缘筒外侧，其内侧壁嵌入一体化绝缘筒内。
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公开(公告)号：CN117747385A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311742455.6
申请日：2023-12-18
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J35/08
Abstract: 本发明涉及同轴虚阴极反射三极管，具体涉及一种多环电场增强型同轴虚阴极反射三极管，解决了现有同轴虚阴极反射三极管的工作阻抗难以降低，或者工作稳定性较低、阴极发射不够均匀的技术问题。本发明在阴极上增设电场增强阵列，使同轴虚阴极反射三极管在工作时具有更高的表面平均电场强度，发射电流得以增大，从而实现了工作阻抗的降低和输出辐射场的增强，提升了三极管工作稳定性，可有效抑制三极管短路问题，对原同轴虚阴极反射三极管的改动较小，可以用较小的代价实现工作性能的提升；电场增强阵列在轴向和角向均匀分布，可进一步提高输出辐射场的稳定性和均匀性。
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