公开(公告)号：CN103811356A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310556944.2

申请日：2013-11-11

Applicant: 辉达公司

Inventor： 翟军 ,  亚伊普拉卡什·基帕尔卡蒂 ,  尚塔努·卡尔丘里

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K7/20509 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50

Abstract: 本发明公开了将CPU/GPU逻辑芯片嵌入堆叠式封装结构的衬底的方法。本发明的实施例提供了其中低功率芯片可以邻近高功率芯片进行定位而不遭受过度加热的影响的IC系统。在一个实施例中，IC系统可以包括第一衬底、嵌入第一衬底内的高功率芯片、布置在第一衬底的第一侧面上的第二衬底，第一衬底和第二衬底彼此电通信，布置在第二衬底上的低功率芯片。在各实施例中，热分布层毗邻高功率芯片进行定位，使得由高功率芯片所生成的热量可以有效地耗散到附接到第一衬底的底层印刷电路板中，从而防止从高功率芯片到低功率芯片的传热。因此，延长了低功率芯片的寿命。

公开(公告)号：CN103811436A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310556758.9

申请日：2013-11-11

Applicant: 辉达公司

Inventor： 翟军 ,  亚伊普拉卡什·基帕尔卡蒂 ,  尚塔努·卡尔丘里

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0209 ,  H05K2201/10553 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了改进堆叠式封装结构中的逻辑芯片的热性能。本发明的实施例提供了其中低功率芯片可以邻近高功率芯片垂直定位而不遭受过度加热的影响的IC系统。在一个实施例中，IC系统包括第一衬底、布置在第一衬底的第一侧面上的高功率芯片、布置在第一衬底的第二侧面上的导热焊盘、形成在第一衬底中的一个或多个导热特征，其中导热特征热连接高功率芯片和导热焊盘，以及附接到导热焊盘的表面的散热器，其中散热器与导热焊盘热通信。通过使导热特征穿过第一衬底形成以热连接高功率芯片和导热焊盘，由高功率芯片所生成的热量可以有效地耗散到散热器中。