公开(公告)号：CN100477021C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN03825074.8

申请日：2003-08-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 凯文·M·杜罗彻 ,  理查德·J·塞亚 ,  维克拉姆·B·克里什纳默西

IPC: H01C7/00 ,  H01C17/12 ,  H05K1/16 ,  B29C59/14

CPC classification number: H01C17/12 ,  B29C59/14 ,  H01C7/006 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/167 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1136

Abstract: 一种用于在挠性衬底(10)(28)上制备电阻器的技术。具体地，至少部分聚酰亚胺衬底(10)(28)通过暴露于离子溅射刻蚀技术而活化。在衬底(10)(28)的活化区域(12)(34)上沉积金属层(14)(36)，由此导致形成高电阻金属碳化物区域(16)(38)。在金属碳化物区域(16)(38)上沉积互连层(18，20)(40，42)并将其图案化来在金属碳化物区域(16)(38)相对端形成端子(24，26)(44，46)。将金属碳化物区域(16)(38)图案化形成在端子之间的电阻器。或者，仅仅活化聚酰亚胺衬底(10)(28)的选择区域。选择区域形成在其中形成金属碳化物区域(16)(38)的区域。在金属碳化物区域(16)(38)上设置互连层(18，20)(40，42)并将其图案化来在金属碳化物区域(16)(38)相对端形成端子(24，26)(44，46)。

公开(公告)号：CN1695209A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03825074.8

申请日：2003-08-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 凯文·M·杜罗彻 ,  理查德·J·塞亚 ,  维克拉姆·B·克里什纳默西

IPC: H01C7/00 ,  H01C17/12 ,  H05K1/16 ,  B29C59/14

CPC classification number: H01C17/12 ,  B29C59/14 ,  H01C7/006 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/167 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1136

Abstract: 一种用于在挠性衬底(10)(28)上制备电阻器的技术。具体地，至少部分聚酰亚胺衬底(10)(28)通过暴露于离子溅射刻蚀技术而活化。在衬底(10)(28)的活化区域(12)(34)上沉积金属层(14)(36)，由此导致形成高电阻金属碳化物区域(16)(38)。在金属碳化物区域(16)(38)上沉积互连层(18，20)(40，42)并将其图案化来在金属碳化物区域(16)(38)相对端形成端子(24，26)(44，46)。将金属碳化物区域(16)(38)图案化形成在端子之间的电阻器。或者，仅仅活化聚酰亚胺衬底(10)(28)的选择区域。选择区域形成在其中形成金属碳化物区域(16)(38)的区域。在金属碳化物区域(16)(38)上设置互连层(18，20)(40，42)并将其图案化来在金属碳化物区域(16)(38)相对端形成端子(24，26)(44，46)。