公开(公告)号：CN101908510A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910302863.3

申请日：2009-06-03

Applicant: 钰桥半导体股份有限公司

Inventor： 王家中 ,  林文强

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种具散热封装结构的半导体装置及其制作方法，包括以铜核基板为基础开始制作的增层封装基板。该增层封装基板包括厚铜置晶接垫、高密度增层线路以及数个电性接脚接垫。该厚铜置晶接垫与电性接脚接垫由该铜核基板一体成形，而该增层线路则由压合的基板所形成，且该增层线路以该厚铜置晶接垫位置为核心向四周延伸以提供电子组件相连时所需的绕线，并以数个电镀盲孔与电性接脚接垫导通连接。藉此可同时具有厚铜置晶接垫及高密度增层线路的功能，并使整体装置达提高信赖度且不易分离，进而可藉由厚铜置晶接垫提供半导体装置封装良好的散热效果，并可增层线路提供良好的绕线能力。

公开(公告)号：CN101908510B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910302863.3

申请日：2009-06-03

Applicant: 钰桥半导体股份有限公司

Inventor： 王家中 ,  林文强

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种具有散热封装结构的半导体装置及其制作方法，包括以铜核基板为基础开始制作的增层封装基板。该增层封装基板包括厚铜置晶接垫、高密度增层线路以及数个电性接脚接垫。该厚铜置晶接垫与电性接脚接垫由该铜核基板一体成形，而该增层线路则由压合的基板所形成，且该增层线路以该厚铜置晶接垫位置为核心向四周延伸以提供电子组件相连时所需的绕线，并以数个电镀盲孔与电性接脚接垫导通连接。藉此可同时具有厚铜置晶接垫及高密度增层线路的功能，并使整体装置达提高信赖度且不易分离，进而可藉由厚铜置晶接垫提供半导体装置封装良好的散热效果，并可增层线路提供良好的绕线能力。